很多时候，记忆决定了我们是什么人，让我们不忘往事，学习并记住新技能，以及为我们的人生做规划。像计算机常常扮演人的延伸这一角色，内存也起到同样的作用。
说到内存，我们都知道它是与CPU进行沟通的桥梁，在暂时存放CPU运算数据、与硬盘等外部存储器进行数据交换等方面发挥着不可或缺的作用。所以，内存的性能对一台计算机的影响非常大。
我们在选购内存时，一般会重点关注内存频率的大小，因为频率越高，内存性能越好。这也是为什么很多商家选择把频率标注在最显眼地方的原因。不过除了频率，内存还有一个重要的指标值得我们关注，那就是时序。内存时序应该如何解读？是越大越好还是越小越好呢？
内存时序由四个数字组成，表示内存工作的速度或者延迟，和内存频率一样，同样代表了一款内存性能的高低。我们以影驰名人堂DDR4-3600内存时序为例，从左到由的数字分别对应的参数名词为CAS（CL）,TRCD,TRP,TPAS。
我们可以把内存存储的地方想象成格盘，每个方格都存储着不同的数据。CPU需要什么数据，就会向内存发出指令，告诉它所需要数据的具体坐标。比如说需要的数据坐标为C1。那么内存就要先确定数据在哪一行。所以时序的第二个参数TRCD，就是指内存控制器接收到行的指令后，需要等待多长时间才能访问这一行。
在确定了行数之后，内存需要进一步确定数据所在第几列，这一过程所花费的时间就是第一个参数CAS。
第三个参数TRP，是指如果已经确定了一行，还需要再确定另外一行需要等待的时间。而最后一个参数TPAS，可以简单理解成内存写入或者读取数据的时间，一般而言，TPAS大于或者等于CAS+TRCD+TRP的总和。
所以，在保证稳定性的前提下，内存时序越低越好。它与频率一起，共同构成了内存性能的主要考核标准。
在这种情况下，保持高频率在低延时状态下稳定运行，成为了高端内存需要具备的表现。在这背后，一个高性能的DRAM颗粒是必要的支撑。
对比全球主要DRAM颗粒类型，性能参次不齐。现代的MFR和AFR IC峰值频率一般维持在3200-3333MHz（20%左右良率），60%良率集中在3000MHz；如果想超频跑到3600-4000MHz，需要加压到2V左右，时序中第一时间可以达到12，但是后两个时序（tRCD和tRP）则必须在16-18之间。
镁光最新20nm制程的IC量产频率峰值可以达到3333-3466MHz（20%左右良率），3000MHz的良率在50%左右，极限超频上暂时没有惊艳之处；
而三星的B-DIE IC以高频稳定的特点，声名在外。在极限超频时CAS（CL）、TRCD、TRP三个时序完全同步，能够保持时序C12-12-12运行在3866-4300MHz（或更高）完成各类世界记录的Benchmark。
综合来看，DRAM颗粒孰好孰坏，大家心中现在已然有数。三星B-DIE凭借低延时、高频率、高稳定的特点深受超频玩家钦慕，成为高端市场的娇宠，例如影驰的名人堂系列内存，就采用了三星的B-DIE IC。
