笔记本的根本性优势并非是强大的办公性能与3D速度，而是台式机所无法达到的移动性。然而长久以来，业界的发展方向令人感到困惑，甚至当年高发热量的Pentium4-M令超薄型本本濒临绝迹。痛定思痛，业界开始反省所走过的弯路，再次重视CPU低功耗与低发热量表现。作为全球三大X86微处理器厂商之一，威盛近期推出的C7-M移动处理器将低功耗特色发挥得淋漓尽致，市场上对于采用C7-M打造的超轻薄本本也颇为期待。
CPU的发展史可以看作是制作工艺的发展史。如果想要提高CPU的性能，那么更高的频率、更先进的核心以及更优秀的缓存架构都是不可或缺的，而此时自然也需要以制作工艺作为保障。几乎每一次制作工艺的改进都能为CPU发展带来最强大的源动力。如今威盛C7-M移动处理器采用成熟的IBM SOI 90纳米制作工艺，为实现低功耗与低发热量铺平道路。半导体的工艺进步主要体现在线长（Line Length）的不断缩短上，所谓线长指的是芯片内各个硅晶体管连接导线的宽度。线宽越小则芯片的集成度就越高，同样面积的芯片内可以容纳下更多的晶体。与之对应，晶体管自身的尺寸也相应地缩小。下表是历代移动处理器与制作工艺发展之间的关系：
微处理器 制作工艺 工作主频中位数
40486 0.5微米 50MHz
Pentium 0.35微米 133MHz
PentiumII-M 0.25微米 333MHz
Cyrix3 0.18微米 750MHz
Pentium4-M 0.13微米 1.6GHz
Pentium-M 90纳米 1.5GHz
C7-M 90纳米(IBM SOI) 1.6GHz
威盛C7-M移动处理器采用90纳米制作工艺，先进的IBM SOI工艺更是对此提供了充分保障。我们通常所说的CPU纳米制作工艺并非是加工生产线，实际上指的是一种工艺尺寸，代表在一块硅晶圆片上集成的数以万计的晶体管之间的连线宽度。按技术述语来说，是指芯片上最基本的功能单元——门电路之间的连线宽度。以90纳米制造工艺为例，门电路间的线宽为90纳米。利用这项工艺，C7-M移动处理器在大幅度提高芯片集成度的同时，发热量与功耗也得以骤减。此外，SOI变形硅技术保证了稳定的电气性能，对于降低成本也大有裨益。
根据权威组织机构测试，威盛C7-M移动处理器的平均功耗只有1W左右，其待机时仅0.1W。即便是以1.6GHz的主频全速运行，其功耗也仅仅达到12W，远远低于迅驰和炫龙，而且发热量也低得惊人。更为重要的是，威盛作为全球唯一的同时拥有X86个人处理器、芯片组以及独立显卡的企业，产品面向民用市场。与C7-M处理器配套提供的VN800移动芯片组同样出类拔萃，其中800MHz V4前端总线可以充分保证性能，而全新的封装形式和CPU接口也令整体发热量控制在较低的水平，让打造轻薄型笔记本变得轻而易举。
笔记本的轻薄化之路可谓任重而道远，威盛选择C7-M出击移动市场显然拥有十足的底气。这款移动处理器不仅拥有惊人的低功耗与低发热量表现，而且性能也非常突出，同时还有领先业界的硬件级加密技术来确保数据安全。展望未来，超便携超轻薄的本本将会越来越受到青睐，而威盛C7-M的表现无疑为移动计算技术的发展指明了道路，更让我们期待今后采用C7-M的迷你型笔记本。
