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以前的存储市场其实是没有国产什么事的。虽然国内SSD厂商很多,但是这些国产SSD上面的芯片都是外国公司的,核心技术都在别人手上。
不过这一现状很快就要过去,长江存储明年就会大规模量产适合SSD使用的3D NAND,而国产SSD主控更快,其实已经有几个打入企业和军用市场了,消费级市场方面首款国产主控会是忆芯科技的STAR1000,首款采用该主控的是建兴T10 Plus。
建兴以及其母公司光宝虽然是台湾公司,不过他们早已在内地植下根来,并且与国内的存储芯片公司展开深度合作,2016年光宝科技成立广州研发中心支持国产半导体行业发展,同年7月光宝与忆芯科技达成合作协议共同开发以国产主控为核心的高端固态硬盘。
2017年11月,建兴T10 Plus在国家会议中心和忆芯STAR1000一同发布,而今年光宝与紫光成立合资公司专注国产存储设备开发,可见光宝正在不断的增强在内地的资源投入。
目前建兴T10 Plus 256GB已经在京东上开卖了,售价为739元,头50位晒单的朋友还可获得50元京东E卡一张。
我们也在第一时间拿到了这款产品,不过由于测试时间有限只能简单的跑几个测试。
建兴T10 Plus是一款M.2 PCI-E NVMe SSD,起步容量256GB,上面还有512GB和1TB。
其中512GB和1TB的性能是一致的,都是2700MB/s的读取1700MB/s的写入,随机读写IOPS分别为320,000/275,000,而256GB的版本性能则相对低不少,连续读取2500MB/s,连续写入1000MB/s,随机读写IOPS分别为160,000和145,000。
配件里有个螺丝刀和M.2螺丝,主板上的M.2螺母都有,相当贴心
建兴T10 Plus采用M.2 2280盘型,M.2 Socket 3接口,走PCI-E 3.0 x4通道。
建兴之前的M.2 SSD一样它都带有散热器T10 Plus,这次的散热器改用中国风设计,突出这款产品用的是国产主控。
连背面的贴纸都是中国风的,另外只有256GB的是单边闪存,512GB和1TB的都是双面闪存
忆芯STAR1000采用性能强大的双核ARC处理器,采用TSMC 28nm HPC工艺制造,提供8条闪存通道,支持ONFI 4.0与Toggle DDR 3.0,闪存接口速度800MT/s,可支持最大2400MT/s的DDR4/LPDDR3外置缓存,主控的最大连续读取速度为3GB/s,最大连续写入速度2GB/s,最大随机读写IOPS分别为350K和300K,读延时90us,写延时20us,峰值功耗小于2.5W。
缓存是南亚的512MB LPDDR3,型号是NT6CL128M32BM-H2
建兴T10 Plus使用东芝的原厂3D TLC闪存,256GB上面所用的编号是TH58TFT0T23BADE,属于东芝第三代第三代BiCS 3D64层堆叠的产品,单颗容量128GB。
CDM测试出来建兴T10 Plus 256GB的连续读取速度为2539.7MB/s,连续写入速度为1000.5MB/s,基本上和包装盒上的信息一致,4K QD1的随机读取速度为57.89MB/s,随机写入速度为216.6MB/s,看来国产主控的性能表现是挺不错的。
我们用一个44.7GB的大文件复制进建兴T10 Plus 256GB里面,没到10%写入速度就开始下降了,就是说T10 Plus 256GB的SLC Cache大小大概在4GB左右,SLC Cache用光之后TLC闪存的原始写入速度为250MB/s左右。
SLC Cache容量其实偏少,TLC闪存的原始写入速度和同容量的产品表现差不多。
作为国产商用主控的首秀,建兴T10 Plus 256GB性能还是很不错的,不过这容量的性能表现没有大容量那两个那么亮眼。晚些时候我们会拿到512GB的版本,届时我们会看到更强的性能表现。