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除了英特尔有些难产之外,台积电、三星早就量产了10nm工艺,目前正在争夺7nm工艺制高点,再加上Globalfoundries,这四强代表了半导体制造工艺的巅峰。
最近几天台积电在南京建设的晶圆厂已经开始出货,使用的是16nm工艺,这是国内技术水平最高的工艺,不过能代表大陆自主技术水平的还是中芯国际、华虹半导体的28nm工艺。
来自中芯国际的消息称,国产14nm工艺预计在2019年上半年量产,同时中芯国际力争用10年时间进入第一梯队。
北京日报日前报道了中芯国际,提到了中芯国际在晶圆厂、半导体装备、制造工艺等方面的一些进展。以半导体制造装备为例,中国新建的晶圆厂绝大多数装备都是进口的,10块钱的装备有9.8元都进入了国外厂商的口袋。
除了大家经常听到的光刻机之外,还有离子蚀刻机、离子注入机、光学抛光机、快速退火设备等等,在这方面中芯国际也积极支持国产装备,过去七年中国产半导体装备的占有率从1%提高到了15%。
与此同时,中芯国际还在不断缩小与国外先进工艺的差距,按照原文的说法,中国集成电路先进制造工艺已经从之前落后国际4到5代缩小到了1-2代的差距,中芯国际的14nm工艺预计会在2019年上半年量产。
对于国产14nm工艺,这是2015年比利时国王访华时中比双方签订的一系列合作之一,比利时有全球著名的IMEC比利时微电子中心,在先进半导体工艺上具备丰富的经验,当时中芯国际、华为以及高通联合IMCE签署了合作协议,研发14nm FinFET制造工艺,预定目标是2020年之前量产,现在来看进度还是OK的。
不过协议签署时国内还没有28nm以下的先进工艺,此后台积电宣布在南京建设16nm工艺晶圆厂,2016年正式动工,原本预计今年下半年量产,不过工程进展很快,上半年就已经正式量产了,所以中芯国际的14nm在国内市场也会遭遇台积电的强力竞争,而且后者在量产时间、工艺成熟度上显然更有优势。
尽管如此,在14nm量产之后,中国半导体工艺与世界先进水平的差距确实大大缩小了,28nm、14nm以及未来的7nm都是高性能节点,会长期存在,所以只要能量产出来,对发展国产高性能芯片都是有益的。
中芯国际CEO周子学此前在一次内部会议上表示中芯国际将用10年时间争取进入世界第一梯队。