长期以来，NAND闪存一直被三星、现代和东芝所主导，身为半导体业第一巨头的Intel自然不甘落后。继2005年底与美光共同出资成立IM Flash之后，Intel宣布将在今年年底正式投产50nm工艺的NAND闪存，容量也会有所提升，代号Robson的闪存启动提速技术业将在2007年年初正式推出。
三星等厂商目前均已采用90nm工艺量产NAND闪存，且容量已达2GB甚至4GB，而Intel的容量最高只有1GB。对此，Intel表示其90nm工艺也已趋于成熟，今年年底则会直接跨入65nm阶段，希望以工艺的领先与三星等一较高低。
现阶段的Intel仅采用8英寸工厂生产NAND型芯片组，不过位于弗吉尼亚州Manassas市的12英寸工厂将在今年年中开始量产，犹他州Lehi市的12英寸工厂也将在明年投产，2008年底或2009年初还会再上马一座12英寸工厂。
除了NAND型闪存，Intel还将继续发展NOR型闪存，预计本季度提供65nm工艺NOR闪存芯片，容量可达1GB，转入45nm工艺后会提升至2GB。
NOR闪存是Intel在1988年发明的，NAND闪存则在一年后诞生于东芝手下。据iSuppli预计，NAND闪存在2006年闪存产品市场上的份额可达69％。
