HKEPC报道:在日前的台北春季IDF上,三星公司展示了其DDR3内存产品实物,并预计Intel将在2007年下半年开始采用DDR3,2009年初有望取代DDR2。
据三星内存业务首席工程师Dong Yang Lee称,三星已经准备好在今年下半年开始量产DDR3内存产品,初期频率DDR3-800,随后会升级至DDR3-1066/1333,最高DDR3-1666。
目前DDR2内存普遍采用90nm工艺生产,DDR3则将导入70nm工艺,因此生产成本和功耗均将有所降低。Dong Yang Lee表示,SO-DIMM规格1Gb DDR3-1066的功耗将是512Mb DDR2-800的66%,1Gb DDR3-1333为79%,而UDIMM规格分别为60%和71%。
技术规格上,DDR3主要是由DDR2改良而来,主要改进包括预取由4位增至8位、核心电压由1.8V降至1.5V、配备全新温度侦测功能、高速接口技术全面升级等等。
三星512MB DDR3 ECC UDIMM内存实物
DDR3功耗改善预计
DDR3关键技术改进
Intel平台内存规划路线图