三星展示DDR3实物 2009年初取代DDR2
  • 上方文Q
  • 2006年04月14日 11:46
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HKEPC报道:在日前的台北春季IDF上,三星公司展示了其DDR3内存产品实物,并预计Intel将在2007年下半年开始采用DDR3,2009年初有望取代DDR2。

据三星内存业务首席工程师Dong Yang Lee称,三星已经准备好在今年下半年开始量产DDR3内存产品,初期频率DDR3-800,随后会升级至DDR3-1066/1333,最高DDR3-1666。

目前DDR2内存普遍采用90nm工艺生产,DDR3则将导入70nm工艺,因此生产成本和功耗均将有所降低。Dong Yang Lee表示,SO-DIMM规格1Gb DDR3-1066的功耗将是512Mb DDR2-800的66%,1Gb DDR3-1333为79%,而UDIMM规格分别为60%和71%。

技术规格上,DDR3主要是由DDR2改良而来,主要改进包括预取由4位增至8位、核心电压由1.8V降至1.5V、配备全新温度侦测功能、高速接口技术全面升级等等。

三星展示DDR3实物 2009年初取代DDR2

三星512MB DDR3 ECC UDIMM内存实物

三星展示DDR3实物 2009年初取代DDR2

DDR3功耗改善预计

三星展示DDR3实物 2009年初取代DDR2

DDR3关键技术改进

三星展示DDR3实物 2009年初取代DDR2

Intel平台内存规划路线图

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