紫光正在加快国产内存的脚步，之前他们曾表示，旗下DDR4芯片正在开发中，预计年底前完成并推向市场。
据报道称，紫光成都存储器制造基地项目已经在昨天正式开工，而赵国伟表示，这个基地未来将在投资240亿美元建设新的闪存工厂，主要生产3D NAND闪存。
按照紫光的说法，目前他们还在研发128层堆栈的256Gb核心3D NAND闪存，而今年年底将会量产32层64Gb核心的3D NAND闪存，明年会量产64层堆栈128Gb核心容量的闪存。
相比紫光来说，2019年开始中国大陆地区将有三家存储芯片厂竣工并投入量产内存、闪存，其中进展最快的是长江存储，其正在研发64层的3D NAND闪存，计划在2018年年底前推出样品。至于合肥长鑫、福建晋华基本将LPDDR4芯片量产时间定于2019年上半年。
另外，紫光之前还曾表示，在DRAM内存芯片上，该公司已具备世界主流设计水平，但是产能无法保证，产品销量不会太大。
