美国M-Systems公司宣布实现了4-bit/cell的NAND闪存技术——x4(TM)。
目前的NAND快速闪存芯片采用对浮动栅的电量进行分级技术的存储单元MLC(多级单元),容量为2-bit/cell,而这次M-Systems公司宣布的x4技术则是目前容量的2倍,达每单元4位。
x4技术由一个4-bit/cell NAND闪存媒体和一个必要的x4技术控制器组成。虽然在制造工艺上并没有发生任何的改变,但相比现有的2-bit/cell MLC NAND晶圆加工技术可节约30%的生产成本。
M-Systems公司表示,采用x4技术的NAND闪存部件将在2007年量产。