制造工艺的革新总是Intel的强项之一。为了进一步提高处理器性能、降低功耗、增加弹性，Intel计划在2009年的32nm工艺中采用“3D晶体管(三门晶体管)”技术，据称可将芯片的功耗降低35％之多。
Intel此前已经多次提高3D晶体管技术，而在夏威夷火奴鲁鲁的超大规模集成电路技术讨论会上，Intel透露了更多技术细节，并首次公布了一些数据资料。
Intel研发副总裁Mike Mayberry表示，与目前的平面晶体管技术不同，3D晶体管技术使用了三个“门”(打开和关闭晶体管的开关)，而不是一个，新增的两个门可以增加通过晶体管的电流，并减少泄漏。Mayberry称，Intel已经采用65nm技术生产出了第一个3D晶体管，相比之下可提速45％，金属氧化物半导体处于关闭状态下的电流也减少50％，芯片的总体功耗可由此降低35％。
随着晶体管数量每18-24个月翻一番，同时更多的芯片要不停地开启和关闭，50％的电流减少无疑将为移动设备带来福音，拥有更好的电池续航能力。
Mayberry还强调说，3D晶体管只是Intel研发中用于改进生产工艺的众多新技术之一。
Intel表示，Intel已经接近在一颗芯片上整合10亿个3D晶体管的程度，有望在2009年年底部署的32nm工艺上实现批量生产。如果效果能符合预期，Intel将在所有的半导体产品上推广这一新技术。
