德州仪器(TI)发表声明称将在芯片生产能力和产品功耗性能比两方面超越Intel。TI和Intel都在移动芯片市场上占有重要地位，都为移动设备生产各种处理器和内存芯片，但TI声称，凭借领先一步的45nm工艺，将把Intel甩在身后。
根据报道，利用45nm工艺，TI可将每块晶圆的芯片切割数量提高一倍，由此得到的处理器的速度将提高30％，功耗则会降低40％。由于移动设备不断增多的功能正在严重吞噬电池续航能力，这样大幅度的改善无疑将为现在只有两三个小时通话时间的智能手机等设备带来福音。
TI还表示，他们已经开发出了最小的45nm工艺SRAM记忆体单元，其面积仅为0.24平方微米，比Intel目前最小的SRAM记忆体单元小30％，而且精良的设计使其比其它45nm工艺SRAM记忆体单元也可以小30％之多。
此外，TI的45nm工艺技术还将采用其第三代low-k工艺。
TI将在自家工厂内生产其45nm工艺芯片，预计2007年拿出样品，2008年年中全面投产。
不过，尽管有所推迟，Intel也将在2008年第一季度投产45nm工艺，2009年年底则转入32nm工艺，AMD也有望在2008年同步进入45nm时代，2010年开始向32nm过渡。
