继台积电后，三星也宣布了5nm工艺，而相应的生产线正在建设，预计2019年下半年完成，明年可以开始投入使用。
今天三星宣布，已经成功完成了5nm EUV开发，并且相应的样品已经给客户送去，而由于加入了EUV（极紫外线光刻）技术，在更先进工艺制程加持下，可以让芯片拥有更好的功耗和性能。
那么新工艺下的表现是怎么样的呢？三星强调，5nm FinFET工艺技术可以让芯片功耗降低了20%（相较于7nm工艺），性能提高了10%，从而能够拥有更多创新的标准单元架构。
三星称，5nm的另一个主要优点是，让7nm客户过渡到5nm降低的迁移成本，缩短相应产品开发的时间。
此前，台积电宣布的情况是，的第一代5nm是他们第二次引入EUV技术，多达14层；而第二代7nm的EUV，只有4层规模。
随着格芯（GF）、联电的退出，目前能够做7nm以及更先进工艺晶圆的厂商就只剩下了三星、台积电和Intel，但Intel实际上并不和台积电直接竞争，因为其晶圆厂甚至连满足自家需求都还捉急，只是保不齐对手AMD会重金下单。
