威盛今天宣布他们已经从Kentron Technologies那里，获得QBM技术的使用授权，将在2003年推出支持QBM DDR内存的P4X800芯片组。QBM DDR内存在DDR内存芯片工作的一个时钟周期内同时传输4股数据，提升现有DDR内存带宽100%，达到未来DDR-II内存可以提供的内存带宽，威盛认为DDR-II内存要到2004年才能正式上市，因此有必要推出支持QBM DDR内存的芯片组，但是对QBM DDR内存的支持
仅局限在Intel P4平台上，因为目前AMD Hammer处理器最终上市日期还未确定。
Kentron Technologies发明的QBM技术仅仅在内存模组上进行改动，最低价的QBM533使得原本DDR266的内存带宽从2.1GB/s提升到4.2GB/s，依此类推，QBM667使用DDR333内存芯片，提供5.4GB/s的内存带宽，QBM533和QBM667内存的使用都将消除目前P4 DDR芯片组普遍存在的内存带宽瓶颈问题，使得内存带宽超越FSB总线4.2GB/s的带宽。
另外，QBM内存采用168pin，支持QBM内存的DDR DIMM内存插槽向下兼容目前的DDR内存。
