三星继续在闪存开发方面获得突破，今天该公司宣布了8Gb NAND闪存。这种高密度多位阶细胞元（MLC）闪存采用60nm工艺，相比70nm产品在产能方面能提高25%。
这项最新的技术进步令三星可以向客户提供8GB闪存解决方案，这种方案通过两块4GB封装芯片垂直堆叠实现，而每块芯片封装内还有4块垂直堆叠的8Gb核心。8Gb NAND闪存将在第三季开始上市。三星另外还计划在moviNAND产品家族中采用这种8Gb NAND闪存以生产出用于手机的2GB闪存。三星于2006年4月宣布了这种3D封装技术。
便携媒体播放器PMP将很快采用闪存技术的这一最新进步。之前曾有传言称苹果将推出一种采用8Gb NAND闪存的新款iPod Nano。
就在上个月，三星发布了2Gb 60nm OneNAND闪存。这种芯片的读取速度达到108MB/s，写入速度为17MB/s，预计将应用在混合硬盘和SSD硬盘中。
注：1B=8b
