三星率先开发出12层3D硅穿孔堆叠：HBM存储芯片容量提至24GB-快科技-科技改变生活

三星率先开发出12层3D硅穿孔堆叠：HBM存储芯片容量提至24GB

万南
2019年10月07日 15:14
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10月7日，三星电子宣布率先在业内开发出12层3D-TSV（硅穿孔）技术。

随着集成电路规模的扩大，如何在尽可能小的面积内塞入更多晶体管成为挑战，其中多芯片堆叠封装被认为是希望之星。三星称，他们得以将12片DRAM芯片通过60000个TSV孔连接，每一层的厚度仅有头发丝的1/20。

总的封装厚度为720μm，与当前8层堆叠的HBM2存储芯片相同，体现了极大的技术进步。

这意味着，客户不需要改动内部设计就可以获得更大容量的芯片。同时，3D堆叠也有助于缩短数据传输的时间。

三星透露，基于12层3D TSV技术的HBM存储芯片将很快量产，单片容量从目前的8GB来到24GB。

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#内存颗粒 #HBM #三星

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