三星电子今天宣布推出迄今存储密度最高的MMC闪存。三星这种闪存的产品线名称是MMCplus。
三星MMCplus闪存卡基于三星8Gb NAND闪存芯片，可以存储多达8GB数据。三星8GB、1GB、2GB和4GB闪存卡，将基于多层Cell NAND闪存。
三星MMCplus系列也将包括更高性能基于单层Cell NAND的闪存卡，这种更高性能的闪存卡比最新的MMC闪存卡快上3倍。新的高性能MMC闪存卡有40MBps读取速度和25MBps的写入速度，将有1GB和2GB容量。
三星最近宣布将旗下的OneNAND闪存容量从2Gb提升到8Gb，并且已经开始研发正式产品。三星表示，他们采用晶圆级堆叠制程达成以上目标。这种制程可以让多晶圆堆叠在一起，采用菊花型连接多个晶圆。三星8GB NAND闪存容量就是2个4GB NAND闪存晶圆堆叠而成。
三星的MMCplus高容量和高性能闪存卡将在2006下半年，圣诞节假期之前出货，价格未定。
