接下来是技术分享环节，分为闪存、傲腾两个部分。
在计算体系中，存储有多种不同类型，处理器缓存、封装内存、DRAM内存、NAND闪存、HDD机械硬盘、磁带等等，形成了一个完成的体系，但因为各自特点迥异，比如内存和闪存之间，比如闪存和固态存储之间，无论性能还是容量，仍然存在很大的空白。
DRAM内存、3D NAND闪存、3D XPoint傲腾三种存储中，Intel重点努力的是后两种，尤其是扩展性极佳的傲腾。当然如果你熟悉历史，应该记得Intel公司成立之初的业务其实正是DRAM，确切地说是SDRAM。
DRAM是平面型的，无论容量还是性能提升都越来越困难，比如密度早些年每三年增加四倍，而今每四年才能增加两倍，而闪存SLC、MLC、TLC、QLC一路走下来，单位容量带宽是越来越低的，与计算核心的距离其实在拉大。
当然，NAND闪存在可见的未来内仍是应用最广泛的存储类型，Intel更是采用了先进的浮动栅极设计，不同于传统电荷撷取设计，使用的是独立充电存储节点，编程擦写循环、单元间电荷隔离、数据持久性都更佳，同时还有阵列下CMOS结构(CuA)，可节省空间占用，有利于存储密度的扩充。
Intel 2016年量产了第一代32层TLC闪存，单位容量密度384Gb，2017年的第二代64层QLC猛增至1024Gb，而在今年刚投产的是第三代96层QLC，明年将迎来第四代144层QLC(跳过128层)。
注意后面三种存储密度其实没变，更多的是靠增加堆叠层数而提升容量，这也是NAND闪存面临的一个困局。
除了闪存本身容量提升，Intel也一直致力于固态硬盘容量的提升，比如设计了全新的E1.L、E1.S形态，前者相比U.2容量增加最多1.66倍，散热效率提升2倍，而后者相比M.2容量可翻一番，散热效率更是提升3倍，而且都为PCIe 4.0、PCIe 5.0做好了准备。
说到闪存存储格式，SLC、MLC、TLC、QLC大家都很熟悉了，分别是每个单元1、2、3、4个比特位，分别有2、4、8、16种电荷状态，寿命确实在持续衰退，但是得益于先进的浮动栅极结构，Intel QLC闪存的数据持久性更好。
接下来就是每单元5个比特位、32种点和状态的PLC，Intel的浮动栅极结构依然可以满足，当然需要在闪存结构、主控和固件优化支持方面做出更多的努力，以弥补寿命的不足。
至于再往后，Intel多年前就在研究每单元8个比特位的NAND闪存，因此仍然是可以继续走下去的。
