我国著名微电子学家陈星弼院士去世:里程碑发明
  • 上方文Q
  • 2019年12月05日 02:04
  • 0

据中科院消息,2019年12月4日17时10分,“中国功率器件领路人”陈星弼在四川成都逝世,享年89岁

陈星弼,半导体器件及微电子学专家,中国科学院院士,电子科技大学教授、博士生导师,中国电子学会会员,美国IEEE高级终身会员。

1931年1月28日出生于上海,1952年毕业于国立同济大学电机系,先后在厦门大学、南京工学院及中国科学院物理研究所工作,1956年开始在电子科技大学任教,1980年美国俄亥俄州大学作访问学者,1981年加州大学伯克莱分校作访问学者、研究工程师,1983年任电子科技大学微电子科学与工程系系主任、微电子研究所所长1999年当选中国科学院院士。

陈星弼是国际半导体界著名的超结结构(Super Junction)的发明人,该发明被称为“功率器件的新里程碑”。

2018年,在功率半导体领域最顶级的学术年会上,陈星弼院士入选ISPSD首届名人堂,这是国内首位获此殊荣的华人科学家。

我国著名微电子学家陈星弼院士去世:里程碑发明

文章纠错

  • 好文点赞
  • 水文反对

此文章为快科技原创文章,快科技网站保留文章图片及文字内容版权,如需转载此文章请注明出处:快科技

观点发布 网站评论、账号管理说明
热门评论
查看全部0条评论
相关报道

最热文章排行查看排行详情

邮件订阅

评论0 | 点赞0| 分享0 | 收藏0