台湾《电子时报》今天报道，台湾半导体芯片代工双雄台积电、联电将在明年下半年双双迈进45nm工艺大门：
台积电、联电技术实力愈来愈接近？联电预估，2007年下半45nm制程低耗电制程芯片投入试产，并于2008年推出泛用型制程，台积电也规划2007年第三季45nm制程投产，使得2家公司极可能在45nm制程世代面对面竞争。同时，联电更大手笔投资浸润式显影制程，从2005年起已投资新台币逾100亿元添购ASML机台，台积电、联电加码先进制程毫不手软。
台积电与荷兰设备业者ASML多年前携手开发浸润式微影技术，台积电同时也是浸润式微影机台全球第一家客户，时至今日，浸润式显影已为半导体业界公认是克服光学绕射极限，得以延续摩尔定律至45nm以下制程的重要技术。而ASML也从2003年推出首台浸润式机台AT 1150i，演进迄今的第五代机种XT1900i让40nm以下制程技术得以成为可能。
台积电表示，目前其45nm制程浸润式微影技术已经取得重大突破，最佳状况是缺陷密度为零，换句话说，技术跑在前面的台积电45nm制程浸润式微影技术显然已达一定成熟度；据台积电统计，2005年至今，台积电添购ASML机台勇冠国内业者，约逾180亿元，而台积电总执行长蔡力行日前也表示，尽管扩产脚步放缓趋谨慎，但投资技术绝不手软。
不过，联电也加紧投资浸润式微影技术，据统计，从2005年迄今，用以购买ASML机台的投资金额也近110亿元，联电研发金额约是台积电的60％，就连浸润式微影投资金额，双方差距亦与此比例相当。据了解，联电45nm制程将以ASML第四代机种XT 1700i为主，目前也已在12A厂完成工具建置。
值得注意的是，联电估计，2007年下半45nm制程投入试产，率先推出的将是低耗电制程，从制程应用的市场角度观之，极可能是由联电手机芯片客户先采用；而联电预计，2008年上半推出45nm泛用型制程。尽管联电从未正式公布45nm制程进展规划，不过从台积电、联电都将于2007年下半投入45nm制程试产，双方又再度面对面竞争。
