110GHz!移动芯片运行速度翻番
  • 上方文Q
  • 2006年08月23日 10:23
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来自英国南安普顿大学的工程师们开发出了一种新技术,可将移动设备通用芯片的运行速度提高一倍,达到110GHz。

通过加入氟元素原料,科学家们可以让半导体中的电子运行得更快,从而成功地将双极型晶体管的速度提高到了惊人的110GHz,是此前最好记录的两倍。

Peter Ashburn教授表示,在速度翻番的同时,芯片成本增加得并不多,因此手机、无线设备等只需增加些许额外投入即可获得更好的性能。

在此之前,人们普遍认为硅锗是提高芯片速度的最佳新材料,而氟的出现提供了新的选择,Ashburn也表示正在进一步挖掘其潜力。

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