前几天西数、铠侠（原东芝存储）各自宣布了新一代BiCS5技术的3D闪存，堆栈层数也从目前的96层提升到了112层，IO接口速度提升40%，同时QLC型闪存核心容量可达1.33Tb，目前是世界最高水平的。
铠侠、西数表示BiCS5闪存初期会以512Gb核心的TLC开始量产，后续会提供更多容量选择，包括最高密度的1.33Tb QLC闪存，预计2020年下半年开始商业化量产，主要生产工厂是日本三重县四日市及岩手县北上市的晶圆厂。
那实际到底如何呢?德国Computerbase网站根据铠侠、西数以往的数据做了个汇总，不同类型的3D闪存的存储密度如下：
三星512Gb的64层闪存密度是每平方毫米4.0Gb，美光/Intel的64层256Gb闪存密度是每平方毫米4.3Gb，东芝的96层BiCS4闪存512Gb闪存密度是每平方毫米5.9Gb，而之前东芝公布的128层BiCS5闪存、512Gb容量的密度就有每平方毫米7.8Gb了，96层的QLC闪存、1.33Tb版密度可达每平方毫米8.5Gb。
从这些数据来看，东芝宣称的世界密度最高是没什么问题，其实从2D闪存时代东芝的BiCS技术在存储密度上有很有优势。
不过与去年ISSCC会议上公布的BiCS5闪存技术相比，东芝、西数目前量产的BiCS5闪存也是缩水的，首先层数是112层而非128层，而且去年宣称的4平面架构、性能提升100%的说法也没有出现在当前的声明中，现在量产的BiCS5闪存主要是存储密度、IO接口、堆栈层数、生产效率上的改进，性能不是重点。
这也意味着铠侠、西数很有可能还有更高级的BiCS5闪存待发，目前的不是完整版，大概率是为了确保量产而精简优化了，毕竟层数超过100+之后，3D闪存的难度也在提升。
