ASML的EUV光刻机已经成为7nm以下制程的关键了，三星、台积电、Intel都在购买单价高达10亿元的EUV光刻机用于生产。除了CPU之外，内存工艺也会逐步导入EUV光刻机，三星之后SK海力士也要这么做。
据报道，全球第二大DRAM内存供应商SK海力士已经在研发1a nm工艺的内存，内部代号“南极星”，具体节点大概在15nm，预计会引入EUV光刻机生产。
对内存来说，它跟CPU逻辑工艺一样面临着需要微缩的问题，EUV光刻机可以减少多重曝光工艺，提供工艺精度，从而可以减少生产时间、降低成本，并提高性能。
不过内存使用EUV工艺问题也不少，首要问题就是EUV光刻机售价太高，10亿一台，还要考虑到维护费用，所以初期要承担不小的成本压力。
目前SK海力士最先进的内存工艺主要是1y、1z nm，今年下半年这两种工艺将占到40%的产能比重。
3月初，三星表示，将从第四代10nm级（D1a）DRAM或高端级14nm级DRAM开始全面导入EUV，明年基于D1a大规模量产DDR5和LPDDR5内存芯片，预计会使12英寸晶圆的生产率翻番。
