AMD及NVIDIA新一代显卡开始使用GDDR6显存，更高端的产品才有可能使用HBM显存，其带宽远高于GDDR技术。目前的HBM内存/显存主要是三星、SK海力士在生产，美光此前表态不会错过这个市场，5月份季度已经开始出样了。
根据美光的信息，他们在上个季度（截至5月28日的财季）中已经出样了首款HBM内存/显存芯片，它与业界最先进的产品相比都有足够的竞争力，将会扩展美光在AI数据中心市场的机会。
从美光的表态来看，他们的HBM内存/显存芯片已经搞定了，并且出样给客户，也不可能是第一代HBM了，至少也是HBM2或者最新的HBM2e。
今年2月份，固态存储协会（JEDEC）发布第三版HBM2存储标准JESD235C，也就是HBM2e，将针脚带宽提高到3.2Gbps，前两版中依次是2Gbps、2.4Gbps，环比提升33%。
按照设计规范，单Die最大2GB、单堆栈12 Die（无标准高度限制），也就是24GB容量，匹配1024bit位宽，单堆栈理论最大带宽410GB/s。对于支持四堆栈（4096bit）的图形芯片来说，总带宽高达1.64TB/s，容量高达96GB。
第三代HBM2的电压和上一版一致，为1.2V，比第一代的1.35V有所下降。
