一年半之前，三星发布了旗下首款消费级QLC闪存SSD 860 QVO，现在第二款来了，它就是870 QVO。
虽然很多人对于QLC闪存非常抗拒，但正如之前的TLC，这是不可逆转的趋势，只能慢慢接受，当然厂商在涉及产品的时候也会有相应的权衡，比如QLC闪存初期就不会用于高性能NVMe SSD，而是主打主流大容量，三星870 QVO就是SATA SSD，而且首次做到了8TB。
870 QVO的诚意还是满满的，比如V-NAND闪存从64层升级到92层，单Die容量1Tb，只需八颗就能组成一颗1TB容量的闪存芯片，同时主控也从MJX升级到MKX，不过并未公布任何技术更新、固件变化，相信只是一次小更新。
下边先看看拆解图，再了解一下性能，尤其是缓存之外的写入性能。
左右分别是4TB、1TB的电路板正反面。很显然，1TB、2TB只需一颗和两颗闪存芯片，再加一颗主控、一颗缓存就搞定了，所以PCB非常短小精悍，1TB的留了个空焊位。4TB的正反各两颗闪存芯片，补上四个空焊位那就是8TB。
即便是4TB、8TB的电路板，放在标准的2.5寸盘体内，也是很小巧。
这是三星MKX主控和LPDDR4缓存。
870 QVO系列的详细规格，1/2/4/8TB型号分别搭配1/2/4/8GB LPDDR4缓存，同时还设置了SLC缓存以提升性能，2/4/8TB的都有78GB，1TB则只有42GB。
在写入的时候，一旦用完这些SLC缓存容量，就会回归到QLC的本质，性能自然大大降低，1TB的落差尤其巨大。
根据官方数据，870 QVO系列的持续读取速度都是560MB/s，SLC缓存下的持续写入都是530MB/s，但是QLC闪存下，2/4/8TB型号的持续写入会降至160MB/s，1TB的更是只有80MB/s。
随机性能方面，1TB的读取也不受影响，但是写入损失比较大，尤其是QD32队列深度的时候，随机读写会分别降低40％、48％。
寿命上倒是保持一致，都是每天0.33次全盘写入，质保五年，最大写入量360TB、720TB、1440TB、2880TB，而一般的消费级QLC SSD只有每天0.1-0.15次，即便是五年质保写入量也不如870 QVO。
AnandTech已经对870 QVO进行了详细的测试，其他没什么意外，这里只看看缓存内外的写入情况。
QD32队列深度，128KB数据块，缓存内持续写入速度都可以达到标称的530MB/s左右，而在缓存耗尽之后，速度瞬间就跌了下来，1TB 80MB/s左右，4TB 164MB/s左右，同样完美符合标称。
好消息是，缓存耗尽之后，写入速度一直非常稳定，直到完全填满都没有再变化。
