在进入20nm节点之后，内存工业也面临着CPU工艺一样的制造难题，微缩越来越困难，制造工艺复杂，导致内存成本居高不下。如今7nm以下的处理器用上了EUV光刻机，内存很快也要跟进了，SK海力士计划在韩国M16工厂引入EUV工艺。
与目前大量在用的DUV光刻相比，EUV光刻机可以减少多重曝光工艺，提供工艺精度，从而可以减少生产时间、降低成本，并提高性能。
内存用上EUV工艺之后，内存颗粒的制造成本理论上是会下降的，这也为内存降价奠定基础，不过EUV初期来说就很难了，因为EUV光刻机售价将近10亿元人民币，新建EUV产线的成本是非常高的，需要时间消化。
据报道，SK海力士已经成立了专门的研究小组攻克EUV工艺，从去年就开始投资EUV中可能用到的TF材料，相关研究由副总裁郑泰佑负责，他是蚀刻技术的专家，曾参与SK海力士首个10nm DRAM“Arius”的开发项目以及下一代NAND闪存的研发。
SK海力士也在推进建设EUV DRAM内存生产线的建设，预计在韩国利川市的M16工厂中开始引入。
