Intel与Micron联合投资的IM Flash Technologies宣布将于2007年上半年在新加坡兴建其第四座生产工厂，初期目标是使用300mm(12英寸)晶圆生产50nm工艺的NAND闪存芯片。
IM Flash目前已经拥有三座300mm晶圆NAND闪存工厂，其中在弗吉尼亚州马纳萨斯的工厂已经上线，位于犹他州靳海的工厂将于2007年年初投产，另外一座就是位于爱达荷州博伊西的Micron装配工厂。
明年上半年起兴建的第四座工厂位于新加坡，定于2008年下半年投产，届时将会使用300mm晶圆结合50nm工艺生产NAND闪存芯片。据悉，Intel和Micron目前已经在实验室里拿出了4Gb容量的50nm芯片。
Intel闪存部门副总裁兼总经理Brian Harrison透露说，IM Flash的目标是每年一座300mm晶圆厂。
据iSuppli统计，三星目前统治着46.4％的NAND闪存市场，东芝和现代分别为24.7％和18.5％，而且三星的脚步非常快：今年4月开始生产70nm闪存芯片、7月宣布首款8芯片堆叠的60nm 8Gb芯片并于两个月后投入量产、9月进军40nm、同时在20nm新工艺上取得突破、本月完成16合1芯片堆叠技术。40nm的32Gb闪存芯片可将闪存卡的容量提升至64GB，20nm则可进一步达到512GB。
