碳化硅（SiC）电力电子器件将替代IGBT——这是英飞凌、罗姆等国际知名企业一致观点。而比亚迪已经开始布局。
据报道，比亚迪半导体产品总监杨钦耀日前表示，比亚迪车规级的IGBT已经走到5代，碳化硅MOSFET已经走到3代，第4代正在开发当中。目前在规划自建SiC产线，预计到明年有自己的产线。
提到SiC大家可能有些陌生，碳化硅（SiC）其实是一种广泛使用的老牌工业材料，1893年开始大规模生产，至今一直在使用。不过自然界中很难找到碳化硅。
而在新能源汽车领域，碳化硅主要用于动力控制单元。目前主流车厂仍然使用IGBT（绝缘栅双极型晶体管芯片），但特斯拉、比亚迪已经在 Model 3、汉EV车型上开始使用Sic MOSFET（碳化硅功率场效应晶体管）。
值得一提的是，汉EV也是国内首款批量搭载Sic MOSFET组件的车型。
相比于IGBT，碳化硅（SiC）是一个更先进的做控制器的电力电子芯片，频率、效率可以做到很高，体积可以非常小。
研究显示，SiC的功率损耗较IGBT下降了87%。结合功率半导体在整车中的能量损耗占比数据可以得出，仅仅是将IGBT替换为SiC，就可提高整车续航里程10%左右，这对于极其在意续航能力的电动车来说受益匪浅。
比亚迪在半导体行业布局较早，早在2005年就成立了IGBT团队，并于2009年推出首款自主研发IGBT芯片，打破国外企业的技术垄断。
目前，比亚迪已研发出SiC MOSFET。按照计划比亚迪公布的计划，预计到2023年，其旗下电动车将实现碳化硅功率半导体IGBT的全面替代，整车性能在现有基础上再提升10％。
