二、制程工艺简单科普：三星与台积电真的无法比较
需要注意的是， 7nm、5nm这样的工艺节点名称，如今变得越来越复杂，尤其是不同代工厂的工艺节点，几乎完全失去了可比性，三星5nm优于台积电7nm、台积电7nm优于Intel 10nm……这样简单粗暴的论断是极端不合适的。
根本原因在于，半导体制程工艺从来都没有固定的行业标准，如何设计、命名完全是各家工厂自己说了算。早些年的制程工艺普遍还有这相对比较严格的定义，一切以技术为本，但是自从台积电16nm、三星14nm开始就完全乱了，两家很多时候为了在指标上更好看开始各种骚操作，比如台积电16nm改进一下就叫12nm ，显得比三星14nm更先进，而三星更是无所不用其极，改一下就是一代新工艺。
Intel曾经对这种“不负责任”的做法非常愤慨，提出以晶体管密度为标准，但一来晶体管密度不能完全作为工艺制程定义的规范，二来Intel自己的工艺确实遇到了很多困难和尴尬，三星、台积电根本不屑一顾，这种争论也就不了了之了。
话说回来，不同晶圆工厂的工艺制程，也确实难以从微观层面进行高低比较，比如骁龙888采用的三星制程工艺，就与我们所熟知的台积电制程工艺存在区别：
三星与台积电一直都存在技术路线的分歧，这一点在10nm之后特别明显。比如三星7nm节点选择了某几层的EUV（极紫外光）光刻，而台积电的前两代7nm工艺在用193nm波长的浸入式光刻，虽然它们的名字都是“7nm制程”，但是呈现出来的样子总是千差万别。
值得一提的是，三星此后的6nm，以及骁龙888选择的5nm实际都是7LPP工艺的同代演进，而台积电则不然，所以两者的技术路径、迭代方式长期存在较大差异，目前无法从微观层面判断三星5nm与台积电5nm的孰优孰劣、有无高下之分。
三星7LPP工艺的同代演进包括6nm、5nm、4nm在内
相同的缘故，在缺乏更多公开数据支撑的情况下，我们无法判断骁龙888采用的7LPP同代演进的三星5nm制程工艺与骁龙865采用的台积电7nm制程工艺综合起来谁更胜一筹。
简而言之，由于不同晶圆厂商的工艺制程存在不同标准、不同迭代节奏、不同命名规则的差异，可能没有办法将骁龙888与骁龙865在制程上进行微观层面的高低性能比较，故不敢妄下断言。
