IBM表示将和Qimonda、Macronix两公司一起展示一种能打败日益崛起的闪存芯片的新型内存。三家公司将在12月13日旧金山举行的IEEE大会上展出这种新型相变内存。
三公司宣称相变内存能令非挥发性内存达到更高密度。IBM实验室的科学家们已经拿出了一个相变内存的原型产品,据称其开关速度比闪存快500倍,横截面积只有3x20纳米。
IBM表示根据摩尔理论,闪存设备要到2015年才能赶上相变内存。这种极有前途的内存技术基于锗锑等元素的半导体。
IBM表示将和Qimonda、Macronix两公司一起展示一种能打败日益崛起的闪存芯片的新型内存。三家公司将在12月13日旧金山举行的IEEE大会上展出这种新型相变内存。
三公司宣称相变内存能令非挥发性内存达到更高密度。IBM实验室的科学家们已经拿出了一个相变内存的原型产品,据称其开关速度比闪存快500倍,横截面积只有3x20纳米。
IBM表示根据摩尔理论,闪存设备要到2015年才能赶上相变内存。这种极有前途的内存技术基于锗锑等元素的半导体。