在今天的国际电子设备研讨会(IEDM)上，AMD和IBM描绘了自己的45nm工艺进程蓝图，将以三项技术对抗Intel。
AMD和IBM的这三种技术分别是沉浸式平版印刷术、超低k(ultra-low-k)电介质互联技术，以及多重增强晶体管应变技术。
目前普遍使用的传统平版印刷术在进入到65nm或更新工艺时会面临诸多局限，而沉浸式技术能显著增强微处理器设计和生产过程，因为它使用的是浸没在纯净水里的投影镜头，原理类似沉浸显微透镜。据称，使用沉浸式平版印刷术设计生产的SRAM芯片可获得大约15％的性能提升。
多孔、超低k电介质互连则能降低互联电容、写入延迟和能量消耗，从而明显提高性能功耗比。在保证互联电介质机械强度的同时，超低k电介质技术能减小其介电常数。与目前的low-k电介质相比，ultra-low-k电介质能降低15％左右的写入延迟。
多重增强晶体管应变技术的目的则是解决45nm时代晶体管封装密度增大的难题。AMD和IBM称，与非应变技术相比，这一新技术能将p通道晶体管的驱动电流提高80％，将n通道晶体管的驱动电流提高24％。
AMD与IBM在2005年11月宣布，将双方的合作开发计划延长到2011年，覆盖32nm和22nm工艺。双方希望能在2008年年中拿出首批使用上述新技术的45nm产品。
AMD的65nm工艺CPU刚刚从其德国德累斯顿工厂批量出后，远落后于其竞争对手Intel，后者已经开始在测试工厂试产45nm工艺产品。根据报道，Intel已完成45nm处理器Penryn的样品生产，并为修建45nm生产线投入了90亿美元，已经完成和在建的45nm工厂有3座。
