多公司合作Tb级3D封装存储芯片
  • Skyangeles
  • 2006年12月20日 10:17
  • 0

NEC公司和Elpida尔必达以及Oki冲电气合作,宣布已经开发出一种创新的封装方式,可以将八颗存储芯片和一颗控制芯片垂直封装起来,各芯片中采用三维方式进行连接。

技术的关键在于堆栈中芯片的连接方式,每颗芯片的上下各有超过1000支阵脚,直接连接在芯片内部的多晶硅电极上,直接垂直穿透芯片。这个封装在此形式下垂直排列异常紧凑,每颗存储芯片的厚度仅50微米。

三家公司的开发者们正在一步步解决技术中的难题,为下一代移动设备创造出高容量高速以及低功耗的存储解决方案。看来垂直封装技术已经成为存储芯片容量提升的公认途径,上周我们刚刚[url=http://news.mydrivers.com/pages/20061214152518_51482.htm]报道[/url]过三星采用准备垂直封装技术制造NAND闪存的计划。

文章纠错

  • 好文点赞
  • 水文反对

此文章为快科技原创文章,快科技网站保留文章图片及文字内容版权,如需转载此文章请注明出处:快科技

观点发布 网站评论、账号管理说明
热门评论
查看全部评论
相关报道

最热文章排行查看排行详情

邮件订阅

评论0 | 点赞0| 分享0 | 收藏0