最近几个月来,全球半导体产能紧张,其中55nm工艺远比想象中缺货,反而7nm、5nm等尖端工艺并不是那么缺货。
日前,在中国工程院主办的“中国工程院信息与电子工程前沿论坛”上,中国工程院院士吴汉明对光刻机、产业链国产化等关键问题进行了分析。
在整个产业链环节,重点的三大“卡脖子”制造环节包括了工艺、装备/材料、设计IP核/EDA。他表示,在半导体材料方面,我国光刻胶、掩膜版、大硅片产品几乎都要依赖进口;在装备领域,世界舞台上看不到中国装备的身影。
此外,吴汉明提到,10nm节点以下先进产能占17%,83%市场在10nm以上节点,创新空间巨大。
在先进制程研发不占优势的情况下,我国可以运用成熟的工艺,把芯片的性能提升,这也是他提出的一个观点:本土可控的55nm芯片制造,比完全进口的7nm更有意义。
吴汉明强调,自主可控固然重要,但也要认识到集成电路产业是全球性的产业。
以EUV光刻机为例,涉及到十多万零部件,需要5000多供应商支撑,其中32%在荷兰和英国,27%供应商在美国,14%在德国,27%在日本,这就体现了全球化技术协作的结果。
在其中,“我们有哪些环节拿得住的?是我国研发和产业发展的核心点。”
“虽然芯片的难度和成本一直增加,但趋缓的摩尔定律给追赶者带来机会。”吴汉明分析称,在这些挑战下,先进系统结构、特色工艺和先进封装在芯片制造方面结合运用,芯片制造领域大有可为。