美光研发25nm工艺NAND闪存
  • 上方文Q
  • 2007年02月12日 11:22
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在NAND闪存领域,美国美光(Micron)公司再次走在了前列,因为他们已经在开发25nm工艺设备。

美光CEO、总裁兼董事长Steve Appleton在接受采访时称,25nm工艺的NAND闪存生产设备正在其实验室中进行开发,不过尚未最终成型,他也没有披露具体的技术细节。

美光COO Mark Durcan给出了一张该设备的照片,作为证明,并补充说美光不会停留在50nm上,至少三年后就会进入25nm时代。

去年,美光与Intel合作发布了50nm、4Gb的NAND芯片,取得了一定的领先优势,但三星随后在9月推出了业界首颗40nm、32Gb NAND芯片,并具有三星特有的CTP架构技术,还使用了high-k介质技术。

今年的NAND闪存有望大幅降价50-65%。

美光研发25nm工艺NAND闪存

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