IBM公司本周三在国际固态电路会议上宣布，其明年投产的45nm处理器缓存将使用DRAM（动态RAM）来代替SRAM（静态RAM），并有效提高可容纳的缓存容量达3倍。
IBM公司45nm开发主管Subu Iyer介绍说，目前的CPU都使用SRAM作为缓存，但在芯片体积不断减小的情况下，放置大容量的SRAM容易造成较大的漏电流，使得制造越来越困难。因此设计者都希望引入使用晶体管数量更少的DRAM。而问题在于，目前没有厂商能够在嵌入式DRAM上使用SOI技术。IBM早已经在诸如Power5处理器上使用SOI技术来降低漏电流，也已在蓝色基因处理器产品上使用DRAM缓存，而此次揭晓的突破则是把两项技术结合起来。
IBM的45nm处理器产品将会首先使用嵌入式DRAM缓存，预计在2008年投产，每颗芯片的缓存容量高达24MB到48MB。而今年晚些时候推出的Power 6处理器缓存仅有8MB。
Intel也在为增大处理器缓存容量寻找出路，但他们没有替换SRAM，而是使用一种名为“floating-body cells”浮体单元的技术，其“Montecito”安腾处理器已经可以嵌入24MB缓存。
