三星第一次公开2nm:2025年量产
  • 上方文Q
  • 2021年10月07日 09:08
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在代工市场上,唯一可以和台积电抗衡的,就是三星了(Intel高调杀入但还需进一步观察),双方在先进工艺进展上也是互不相让,7nm、5nm、3nm、2nm你追我赶。

在最新举办的三星代工论坛2021大会上,三星就披露了最新的工艺进展和路线图。

FinFET晶体管结构潜力几乎已经被挖掘殆尽,三星的下一步是GAA环绕栅极,3nm工艺上分为两个版本,其中3GAE(低功耗版)将在2022年年初投入量产,3GAP(高性能版)则会在2023年年初批量生产。

对比5nm,三星新的3nm GAA可以让面积缩小35%,同功耗下性能提高30%,同性能下功耗降低50%。

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三星第一次公开2nm:2025年量产

2nm工艺没有出现在公开路线图上,但是三星代工市场策略高级副总裁MoonSoo Kang透露,2GAP工艺会在2025年量产。

这是三星第一次透露2nm工艺的规划,但三星也警告说,新工艺进度还要看客户的规划和部署,所以我们推测,2026年可能是见到三星2nm工艺产品上市的更合理时间。

台积电方面的2nm工艺有望在2024年量产,领先三星一年左右。

三星第一次公开2nm:2025年量产

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