随着国产闪存芯片颗粒的快速成熟，不仅已经稳定地推出相关产品，而且在供货上也日趋稳定，这点从各家厂商纷纷推出相关方案的产品即可看出。
今天就带来另一款采用国产闪存颗粒方案的SSD产品，长江存储致钛PC005 1TB。
产品开箱图赏：
简单看一下PC005的整体外观。
SSD的背面则没有料件，只有PCB。
主控是SMI慧荣的SM2262EN，NVMe 1.3标准，传输模式PCIe 3.0 X4。
PC005是有缓存的方案，缓存为南亚NT5AD512M16A4-HR，是一颗512MB容量的DDR4颗粒。
闪存颗粒型号为YMN08TE1B3PC3B，是长江存储第二代64层堆叠3D TLC闪存，单颗存储容量512GB，两颗组成1TB容量。
SSD附件只有一张纸质说明书。
性能测试：
－ 横向对比中统计的SSD经过全盘擦写和重新分区，消除新盘的鸡血状态。
－ 连续读写性能选取HD TUNE的大文件读写测试，文件大小为50GB。
－ 4K随机性能采用IOMETER混合读写，分别进行QD1的浅队列和QD32的深队列测试。因为日常使用中不会存在纯粹的读写行为，会在读写测试中反向混入25%的负载（例如读取测试中75%读取，25%写入）。
－ 现在部分SSD会通过玩命调教固件来提升4K的随机数值，所以这边引入4K离散值统计来让那些表面SSD露出原型。公式中是对 SSD自身IOPS平均值计算离散程度，不会出现性能低的SSD，离散会较低的BUG。
－ 离散测试是通过IOMETER来跑，测试前会先运行120秒预热，然后运行12分钟收集600个数据样本。所以我的离散测试会比较针对存储颗粒的自身性能。
－ IO延迟的部分则会采用AS SSD 10G文件测试，连续三次读写延迟的数据取平均值。
－ 表格实在比较庞大，手机端还是横过来看更方便一下，电脑端就当治疗颈椎病吧。
－ 需要注意的是由于群联E16的功耗较大，所以并不适合裸机测试重载环境，这边使用了TT的第三方散热片来进行测试。
以下为横向对比统计的图表，横向对比中致钛PC005 1TB大致属于主流水平。
致钛无法达到旗舰级别的主要的原因是在深队列离散表现不够理想，明显影响了最终评分。
针对SSD主要测试了三种模式。
－ 空盘模式，在默认状态下直接进行测试，如果SSD默认不带散热片则在无散热情况下测试。
－ 空盘+FAN模式，依然是空盘情况下，但是会用风扇直吹SSD，使SSD的工作温度始终不会触发温度墙。
－ 90%填充+FAN模式，保持SSD保持在合适的工作温度下，并为SSD填充到90%容量后测试。
从图表中可以看到，当PC005 1TB在默认状态下性能大致与海康威视的CC150相当，但是PC005具有良好的散热状态下性能可以优于INTEL 750，提升幅度达到18%。
在全盘填充后性能会有一定程度的降低，主要是AS SSD的读取延迟大幅提高导致。
接下来是离散部分的测试。首先测试的是空盘状态下，SLC缓存的运行会比较积极。
速度上看，PC005 1TB在浅队列读写相对较高，但是深队列读写的速度则比较一般。
离散程度上看，PC005 1TB在浅队列读写相对比较平稳可以认为是中等水平，但是深队列读写并不够理想，离散程度较大。
下图是空盘、空盘+FAN、90% FULL+FAN三种模式的读取离散对比。
绝对速度
－ 浅队列下，三种模式下离散程度总体区别较小，大体一致。
－ 深队列下，对比有无散热的情况性能会有明显的改善，空盘与填充模式下差别并不算很大大体一致。
离散程度
－ 浅队列下，对比有无散热的情况差别很小，空盘与填充模式下可以看到波动的周期不变，但是会提前开始波动。
－ 深队列下，对比有无散热的情况差别比较明显，有散热情况下改善较大。空盘与填充模式下差别较小但是全盘填充后会略有衰减。
下图是空盘、空盘+FAN、90% FULL+FAN三种模式的写入离散对比。
绝对速度
－ 浅队列下，三种模式下离散程度总体区别较小，填充模式下性能略低一些。
－ 深队列下，对比有无散热的情况性能会有明显的改善，空盘与填充模式下差别并不算很大大体一致。
离散程度
－ 浅队列下，对比有无散热的情况差别很小，空盘与填充模式下可以看到波动的周期不变，但是会延后开始波动。
－ 深队列下，对比有无散热的情况性能会有明显的改善，空盘与填充模式下差别并不算很大大体一致。
常规产品性能测试大致会分为三段。
开箱性能测试，这个环节可以测试出SSD在最好状态下大致可以达到什么性能。
压力测试，这个环节通过长时间满载写入，用于测试SSD在极端压力下性能会到什么程度。
日常状态测试，在压力测试之后，会通过一小时待机和重新分区让SSD重新恢复，来体现日常使用中的性能表现。
先从文件基准来看。两张图第一张是新盘测试完一些常规BENCHMARK之后进行的，第二张图是全盘擦写之后再跑一轮常规BENCHMARK之后进行的。
PC005 1TB的读取曲线大体平稳，但是开始阶段会有一段比较慢的时间。写入曲线先是有12G左右的缓内速度为2000MB/s左右。缓外速度为750MB/s左右，继续写入速度会掉到200MB/s左右。新盘和擦写后的读写速度有较大区别，新盘为2345MB/s、345MB/s，擦写后为1492MB/s、294MB/s，速度有一定的衰减。
空盘散热充足的情况下，可以看到读取曲线开头比较慢的部分是因为SSD比较热速度被限制，散热不受限之后读取速度也就不受限了。写入曲线上缓外速度可以稳定在750MB/s左右。读写速度从1492MB/s、294MB/s改善为2929MB/s、879MB/s。
对比空盘和90%填充的对比前后速度变化很小，对性能影响很小，读写速度为2910MB/s、881MB/s。
然后是最有看头的SSD压力测试。在新盘状态下HD TUNE的读写曲线位1537.4MB/s、401.9MB/s。写入速度主要是受到散热问题的限制，可以看到写入速度会周期性波动。
对SSD的擦除采用HD TUNE对SSD进行持续擦写，这个环节的负载是所有测试中最高的。CC500 1TB的写入性能大致分为三个阶段。第一阶段0G~12G，写入速度为990MB/s左右，跑的是SLC缓存。在缓外时会循环波动，温度不撞墙的情况下写入速度为610MB/s左右，撞墙后写入速度为110MB/s左右。
在完成压力测试后相当于容量用尽状态的测试，可以看到连续擦写后对SSD的读取速度有影响，写入主要受到温度影响。读写速度为1270.1MB/s、187.4MB/s
在待机一小时之后，读写性能为1098.3MB/s、365.3MB/s，读取曲线还是有明显波动，写入曲线基本恢复。
在重新分区刷新后，读写性能为1524.6MB/s、350.4MB/s，读取基本恢复，但是写入有所损失。
常规跑分测试：
HD TUNE的测试在擦写前后读写性能总体是略有下降的，写入损失比较明显。
然后看一下不同测试软件的跑分情况，AS SSD是3717/3581，AS SSD的跑分中等偏上。
CrystalDiskMark、TxBENCH、ATTO这三款软件现在已经变成治愈系的测试软件，所以大家参考一下即可。
简单总结：
产品优点：
性能属于目前主流水平，在同价位中偏中上。
缓外速度达到750MB/S，速度较高。
产品缺点：
深队列离散较大，表现不佳。
如果需要完整发挥性能，必须搭配散热片使用。
总体来说，致钛的PC005 1TB属于比较不错的主流级产品，缓外连续写入速度很快，只是随机读写表面较为一般。
从这点上就可以看出，目前来自长江存储的存储颗粒已经相当成熟，以至于定位偏入门的SMI慧荣主控已经成为了短板。
随着目前采用国产颗粒方案的SSD产品越来越多，在全球缺芯的大环境下，SSD和内存的价格却十分平稳，可见芯片国产化之后对我们带来的真正益处。
