直冲900MHz——金邦千禧DDR2 800内存测试
  • 大伟
  • 2007年06月22日 13:43
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[金邦千禧DDR2 800内存介绍一]

直冲900MHz——金邦千禧DDR2 800内存测试

金邦作为世界上著名的内存厂商,其无论是在高端内存市场还是中低端内存市场都拥有着大批的用户,之前我们评测室也为大家奉献过采用镁光小D9颗粒的金邦DDR2内存,其极强的超频能力和低内存时序给我们留下了极为深刻的印象。虽然今天我们为大家带来的仅仅是金邦打拼低端市场的千禧系列内存,但是其同样坚持原厂内存、终身质保和全国联保,让普通用户买的放心,用的安心。

直冲900MHz——金邦千禧DDR2 800内存测试

直冲900MHz——金邦千禧DDR2 800内存测试

由于其主打市场的不同,所以该内存为了更好的控制成本而拿掉了那件穿在“身上的外套”。

直冲900MHz——金邦千禧DDR2 800内存测试

本次我们测试的“金邦千禧系列DDR2 800”内存的单条容量为1G,其默认的1.9V电压要比标准的DDR2 800所规定的1.8V电压要高出0.1V,目前这种情况在DDR2 800内存市场上也是极为普遍的,为了控制成本,抢占市场,几乎所有的内存厂商都在后来推出了电压为1.9V的DDR2 800的内存。不过相比那些仅仅在1.9V电压下可能让内存稳定工作在800MHz频率下的内存条来说,“金邦千禧系列DDR2 800”内存又有很大的不同,因为电压虽然在1.9V下,但是其CL内存时序可以稳定的达到4,这对于目前很多1.9V电压下的DDR2 800内存来说是不太可能的。

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