台积电的下一代先进工艺中,3nm明年会放量生产,2nm工艺在2025年量产,再往后的1nm工艺一直没有明确计划,不过工厂的事差不多定下了,新竹科学园区有关负责人今日表示,台积电未来1nm厂将落脚竹科龙潭园区。
目前台积电确定的只是前期的选址,后面还有一大堆流程要走,即便一切顺利,如今先进的芯片厂建设周期至少3年,再加上2nm工艺是2025年量产,1nm工艺量产至少要到2028年之后了。
至于具体的技术细节,那更是无从谈起,不过台积电在2nm之后就会使用GAA晶体管技术,1nm也不会例外。
还有就是投资金额,台积电3nm、5nm工厂的建设资金大约是200亿美元,1nm工艺的投资计划高达320亿美元,轻松超过2000亿元,成本要比前面的工艺高多了。
其中一个重要原因就是下一代EUV光刻机,目前AMSL的EUV光刻机可以满足3nm工艺的需要,2nm之后的工艺就要上高NA技术的EUV光刻机了,型号是NXE:5200,价格直线飞升,从目前的1.5亿美元大幅上涨到4亿美元以上。