提起光刻机，可能不少人首先就想到行业领导者荷兰阿斯麦（ASML），但实际上，从绝对份额来看，日本的佳能和尼康也跻身全球TOP3，只是后两者尚无特别先进的DUV和EUV光刻机。
3月13日，佳能宣布发售面向前道工序的半导体光刻机新产品----i线步进式光刻机“FPA-5550iX”，该产品能够同时实现0.5μm（微米）高解像力与50 x 50mm大视场曝光。
佳能介绍，该产品可用于全画幅CMOS、头戴显示器等小型显示设备的曝光工序、高对比度微型OLED显示器制造等领域，也就是除了半导体制造，显示器制造等环节也适用，覆盖自动驾驶、电脑、手机、相机、机器人、游戏设备、人工智能、医疗分器等领域。
所谓i线也就是光源来自波长365nm的水银灯，和EUV光刻机使用的13.5nm波长激光等离子体光源区别明显。
新品的三大特点分别是：
1、通过制造方法的革新，兼顾高解像力与大视场曝光，实现更加稳定的镜头供应
2、通过采用可读取各类对准标记的调准用示波器，进一步加强制程对应能力
3、通过与Lithography Plus的协同，提高运转效率
另据了解，在半导体芯片的制造工艺中，光刻机负责“曝光”电路图案。在曝光的一系列工艺中，在硅晶圆上制造出半导体芯片的工艺称为前道工艺。
保护精密的半导体芯片不受外部环境的影响，并在安装时实现与外部的电气连接的封装工艺称为后道工艺。
