7月27日，三星电子发布了第二季度财报，虽然营业利润依然同比暴跌了95%，但营业利润和净利润环比都出现了增长，特别是半导体业务亏损收窄，反应出之前的存储芯片减产策略已经奏效。
因此，三星决定延长减产计划。
值得注意的是，就在一天前，另一家SK海力士也宣布将会扩大对于NAND Flash的减产。
具体来说，三星二季度季营业收入为60万亿韩元，同比下滑22.28%；营业利润为6685亿韩元，同比暴跌95%；净利润1.72万亿韩元，同比下滑84.5%，但较第一季度增长9.6%。
这个业绩数据与三星本月7日公布的业绩快报（销售额60万亿韩元、营业利润6000亿韩元）基本持平。
存储芯片减产效果显现，半导体业务亏损收窄
自2022年以来，全球半导体市场需求开始下滑，其中存储芯片需求更是大跌。
随后，铠侠、美光、SK海力士存储大厂纷纷减产，今年一季度由于存储芯片需求依旧低迷，价格也是持续下跌，使得三星一季度营收同比下跌18%至63.74万亿韩元，营业利润同比暴跌95%至6402亿韩元，净利润同比大跌86.1%至1.57万亿韩元。
其中，作为三星电子最大的营收来源，三星半导体业务出现了高达4.58万亿韩元的亏损。这也迫使三星在一季度财报会议上宣布决定对存储芯片实施减产。
从二季度的业绩来看，受到存储芯片减产影响，三星电子负责半导体业务的设备解决方案（DS）部门二季度营收14.73万亿韩元，相比去年同期的28.5万亿韩元大跌48%，营业利润依然存在高达4.36万亿韩元的亏损（去年同期为盈利9.98万亿韩元），但是较一季度4.58万亿韩元的亏损额已有所收窄。
这也显示出三星对于存储芯片的减产确实起到了一定的效果。
不过，需要指出的是，三星电子在二季度的DRAM出货量高于一季度的预期。
三星电子表示：“人工智能应用的强劲需求导致高端DRAM出货量高于指导值，主要AI应用所需的HBM和DDR5产品，从而使得DRAM业务的业绩较上一季度有所改善。”
由于半导体市场需求疲软，三星电子二季度的晶圆代工业务也表现不佳，该业务利润出现了大幅下滑。台积电和联电这两大晶圆代工厂的二季度净利润都出现了同比两位数百分比以上的下滑。
同时，台积电和联电在二季度的财报会议上，均下调了对于全年的业绩预期，并认为半导体库存调整将会持续到今年四季度。
智能手机业务仍在下滑
目前消费电子市场依旧疲软，根据市场调研机构Canalys最新数据显示，二季度三星智能手机出货量为5300万部，同比下滑了14%。
三星电子二季度财报也显示，负责三星智能手机和数字电器的设备体验（DX）部门第二季度营收为40.21万亿韩元，同比下滑了10%；运营利润为3.83万亿韩元，相比一季度的3.94万亿韩元下滑了约2.9%。
对此，三星电子表示，受加息、通胀等宏观因素持续影响，智能手机市场需求环比减弱，“由于三星S23发布的影响减弱以及大众市场复苏的延迟，导致销售额环比下降。”
对于下半年智能手机市场的展望，三星电子在财报中乐观地认为，在需求增长的带动下，智能手机市场将在下半年恢复同比增长，尤其是高端市场。
三星电子计划在今年下半年发布的可折叠智能手机、平板电脑、可穿戴设备等产品上投入巨资，加大高端家电营销力度，提高利润率。
不过，三星电子同时强调，“如果全球经济有进一步长期衰退的风险，增长预测可能会下调。”
其他业务方面
负责显示面板业务的三星显示（SDC）部门第二季度营收为6.48万亿韩元，同比下滑16%；运营利润8400亿韩元，同比下滑20.8%。
汽车电子部门（Harman）第二季度营收为3.5万亿韩元，同比增长17%；运营利润2500亿韩元，同比增长150%。
二季度资本支出达14.5万亿韩元
三星电子第二季度研发费用为7.2万亿韩元，刷新单季最高纪录。三星还表示，第二季度斥资14.5万亿韩元扩建生产设施，这也是有史以来最多的一个季度。
三星电子联合首席执行官兼半导体业务总裁庆桂贤（Kyung Kye-hyun）称，三星美国得克萨斯州泰勒工厂的4nm晶圆厂将于2024年底开始量产，同时三星还计划在韩国平泽建立更多生产基地。
三星宣布延长减产计划
对于三星来说，其在4月宣布对存储芯片减产之后，对于二季度业绩已经带来了一些积极的影响。为了加速存储芯片市场的回暖，三星决定延长减产计划。
三星电子存储事业部执行副总裁Jaejune Kim在27日当天财报电话会议表示，将延长减产行动，并调整包括NAND Flash在内的特定产品产出。
他并未透露具体减产的影响范围，但提到公司的存储芯片库存在5月触顶后已经开始快速下降。
值得注意的是，在7月26日，SK海力士也宣布将会扩大对于NAND Flash的减产，减产幅度进一步下修5~10%。
三星电子表示，考虑到存储芯片行业减产力度加大，预计存储芯片市场将逐渐走向稳定，而客户的库存调整可能会逐渐结束。
同时，三星预期下半年需求将逐步复苏，三星电子将专注于DDR5、LPDDR5x和HBM等高附加值产品，并增加对基础设施、研发和封装技术的投资。
