快科技8月9日消息,分析师郭明錤透露,高通骁龙8 Gen4会采用3nm工艺。由于台积电3nm成本高昂,智能手机需求在持续下滑,因此高通考虑台积电、三星双代工模式。
此前在2015年,苹果A9芯片就采用了台积电、三星双代工模式,当时A9芯片台积电版本是16nm工艺,三星版本是14nm工艺。
现在高通骁龙8 Gen4有可能会效仿苹果,据爆料,台积电版本的骁龙8 Gen4采用N3E工艺,三星版本的骁龙8 Gen4则是采用3nm GAA制程工艺。
据悉,三星是全球第一个成功将GAA技术应用到量产的3nm芯片当中的晶圆代工厂商,虽然台积电也已量产3nm工艺,但是其依然是基于FinFET晶体管架构,台积电会在2nm制程工艺上才会采用GAA技术。
根据官方披露的信息,GAA FET架构的晶体管提供了比FinFET更好的静电特性,可满足某些栅极宽度的需求。这意味着在同等尺寸结构下,GAA的沟道控制能力比FinFET更强,尺寸可以进一步微缩。
基于此,业界认为倘若高通骁龙8 Gen4部分订单交由三星代工,那么基于三星3nm GAA技术的骁龙8 Gen4表现将会优于台积电版本。