[PNY DDR3-1333套装赏析一]
PNY这个牌子大家都比较陌生,这里我们先要稍微介绍一下。PNY中文名称必恩威是一个致力于内存条、显示卡、数码存储以及移动U盘设计生产的厂家。其在欧美地区知名度、市场占有率都相当高。随着5月份Intel P35芯片组的推出,PNY于第一时间推出了自己的DDR3内存产品,就是今天看到的这款DDR3-1333套装。这款“外壳”上打着核辐射标志的产品到底能给我们带来什么样的使用体验呢?我们一起来考察一番。
从标签上我们得知这款套装的内存编号为DHEA2480.A8I3P,容量为1GB,运行频率为DDR3-1333,工作电压为1.5V,于我国台湾生产。散热片上的核辐射标志总是那么醒目凸显了这款产品自身的强悍。
内存正反两面全部覆盖了散热片,这款散热片表面经过了镀镍工艺处理,能够比普通金属提供更好的散热性能。
散热器的一端印有DDR3徽标。金手指采用电镀工艺处理,在提高电器性能的同时还避免金手指氧化的麻烦。
[PNY DDR3-1333套装赏析二]
产品背面两端分别打印着PNY品牌标识和DDR3徽标,当然还有那个醒目的“核辐射”。
DDR3和DDR2所采用的PCB板大小相同,这一点和当初DDR和DDR2一样
两种内存所不同的就是金手指间“防呆”缺口的位置,金手指数量都是240个。
[测试平台赏析]
我们准备了华硕 P5E3 Deluxe主板来测试PNY DDR3-1333内存。这款主板采用Intel X38+ICH9R芯片组,支持全系列775针处理器,能够支持双通道DDR3-1333内存,使本次测试的最佳选择。
选手已经就位,镀镍工艺处理过的内存散热片在豪华的主板上依旧抢眼。不知怎么,我们感觉把这两个出自不同厂家的硬件放在一起时,是那么的和谐。
[测试平台及测试成绩]
系统硬件
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CPU
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Intel Conroe E4400 (OC 3.34G)
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主板
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ASUS P5E3 Deluxe
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内存
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PNY DDRIII 1333 1GB*2
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硬盘
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Seagate 7200.7 120G (ATA -100 , 2MB Buffer)
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显卡
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NVIDIA 7900GTX 512M(650/1600MHz)
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电源
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鑫谷宙斯盾 650 (550W)
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系统软件
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操作系统
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Windows Vista
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DirectX版本
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10
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主板驱动
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Intel inf 8301013
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显卡驱动
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NVIDIA Forceware 94.24
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测试软件:PCMARK 05 Memory test、SiSoftware Sandra 2007 Memory Bandwidth、Memory Latency、EVEREST2.8。
PNY 1333 1GB DDRIII 内存测试
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时序
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1333MHz
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800MHz
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PCMark05
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Memory
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6684
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6170
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EVEREST2.8
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Memory Read
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8407 MB/s
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6417 MB/s
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Memory Write
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6064 MB/s
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6063 MB/s
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Memory Copy
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6784 MB/s
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6462 MB/s
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Memory Latency
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64.2 ns
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83.7 ns
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SiSoftware sandra 2007
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RAM Bandwidth Int Buff’d
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6965
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5927
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RAM Bandwidth Float Buff’d
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6970
|
5925
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Memory Latency
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80
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104
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Speed factor
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89.0
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115.5
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DDR3上市已经很长一段时间了,但依然距离广大消费者十分遥远。这里固然有其延迟过高造成初期产品性能不佳的问题,但我想最主要的依然是价格因素。现今市面上主流DDR3的价格基本上都是主流同容量DDR2-800产品价格的3倍以上,部分产品更是达到了惊人的5倍,而玩家在付出了如此高昂的价格之后得到的仅仅是少得可怜的性能提升。更加雪上加霜的是支持DDR3内存的主板价格同样高居不下,现在仅是一块支持DDR3的主板加上2G DDR3内存的价格就相当于一套性能不错的整机了。 回想当年DDR-400的普及不能不说是Intel 865 PE芯片组的功劳,而现在的DDR3所需要的“865”依然没有出现。虽然Intel一直高调宣称要普及DDR3标准,可始终没有看见它的实际动作。 但要说DDR3就是当代的RAMBUS也不免太过悲观,毕竟追求高带宽的DDR3是符合下一代CPU应用需求的,现在的困境仅仅是市场运作力度不够造成的暂时性问题。相信随着Intel不断加大DDR3的市场推广力度,新一代DDR3主板的上市以及内存生产厂家新工艺和生产模组的进步,DDR3的时代终会来临,只是大家还要再等上一段时间。