NEC宣布新高速MRAM试制成功
  • Skyangeles
  • 2007年12月02日 10:19
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日本NEC公司周五宣布,已经开发成功业内最高速的MRAM存储器(Magnetoresistive RAM 磁性随机存储器),频率达到250MHz,已经可以替代大规模集成电路中的SRAM缓存。

MRAM拥有非易失性,存储单元体积小,功耗低,读写寿命无限等等的优势。其速度远高于闪存,业界普遍认为MRAM有可能在将来用作PC内存,实现即时开机进入操作系统。

NEC的新款高速MRAM容量为1Mb。每个存储单元由2个晶体管和一个磁阻单元组成。由NEC独立设计的这种新结构让MRAM频率达到250MHz,比目前MRAM普遍100MHz的频率提高了1倍以上。测试显示,其数据输出时间仅为3.7ns,已经可以替代大规模集成电路LSI中的SRAM缓存,依靠MRAM的非易失性优势,大幅降低集成电路的功耗。

NEC宣布新高速MRAM试制成功

 

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