中国上海，2024年5月28日——近日，中微半导体设备（上海）股份有限公司（以下简称“中微公司”）推出自主研发的12英寸高深宽比金属钨沉积设备Preforma Uniflex® HW以及12英寸原子层金属钨沉积设备Preforma Uniflex® AW。这是继Preforma Uniflex® CW之后，中微公司为各类器件芯片中超高深宽比及复杂结构金属钨填充提供的高性价比、高性能的解决方案。中微公司深耕高端微观加工设备领域多年，持续加码创新研发，此次多款新产品的推出是公司在半导体薄膜沉积设备领域的新突破，也为公司业务多元化发展提供了强劲的增长动能。

中微公司自主研发的具备超高深宽比填充能力的12英寸Preforma Uniflex® HW设备，继承了前代Preforma Uniflex®CW设备的优点，可灵活配置多达五个双反应台的反应腔，每个反应腔皆能同时加工两片晶圆，在保证较低生产成本的同时，实现较高的生产效率。Preforma Uniflex® HW采用拥有完全自主知识产权的生长梯度抑制工艺, 可实现表面从钝化主导到刻蚀主导的精准工艺调控。硬件上，中微公司开发的可实现钝化时间从毫秒级到千秒级的控制系统，可满足多种复杂结构的填充。此外，搭配经过优化设计的流场热场系统，使该设备具备优异的薄膜均一性和工艺调节灵活性。

中微公司12英寸高深宽比金属钨沉积设备Preforma Uniflex® HW

此次中微公司还推出了自主研发的具备三维填充能力的12英寸原子层金属钨沉积设备——Preforma Uniflex® AW。该设备继承了钨系列产品的特点，可配置五个双反应台反应腔，有效提高设备生产效率。此外，系统中每个反应腔均可用于形核和主体膜层生长，可根据客户实际工艺需求优化配置，进一步提高生产中的设备利用率。Preforma Uniflex® AW采用拥有完全自主知识产权的高速气体切换控制系统, 可精准控制工艺过程，实现精准的原子级别生长，因此，所生长的膜层具备优异的台阶覆盖率和低杂质浓度的优点。Preforma Uniflex® AW 还引入独特的气体输送系统，进一步提升性能，使该设备具备更先进技术节点的延展能力。该设备也继承了中微公司自主开发的流场热场优化设计，从而提升薄膜均一性和工艺调节灵活性。

中微公司12英寸原子层金属钨沉积设备Preforma Uniflex® AW

中微公司董事、集团副总裁、CVD产品部及公共工程部总经理陶珩表示：“我们很高兴可以为全球领先的逻辑和存储芯片制造商提供行业领先的薄膜设备，这两款设备优异的台阶覆盖率和低电阻特性，使其可以满足多种复杂和三维结构的金属钨填充需求。随着半导体技术的不断进步，原子层沉积技术因其卓越的三维覆盖能力和精确的薄膜厚度控制而日益受到重视，预计未来将会有更广泛的应用需求。中微公司推出的这两款新设备，进一步扩充了中微公司薄膜设备产品线，不仅展示了我们在原子层沉积领域的先进技术水平，也证明了我们拥有强大的产品开发和应用开发能力，标志着我们在半导体领域中扩展了全新的工艺应用，这将为我们公司的持续增长和长期发展提供广阔的空间。“

探索不息，创新不止。一直以来，中微公司持续践行“四个十大”的企业文化，将产品开发的十大原则始终贯穿于产品开发、设计和制造的全过程，研发团队秉持为达到设备高性能和客户严格要求而开发的理念，坚持技术创新、设备差异化和知识产权保护。自2004年成立以来，中微公司致力于开发和提供具有国际竞争力的微观加工的高端设备，现已发展成为国内高端微观加工设备的领军企业之一。未来，公司将继续瞄准世界科技前沿，坚持三维发展战略，打造更多具有国际竞争力的技术创新与差异化产品，为客户和市场提供性能优越、高生产效率和高性价比的设备解决方案。

关于中微半导体设备（上海）股份有限公司

中微半导体设备（上海）股份有限公司致力于为全球集成电路和LED芯片制造商提供领先的加工设备和工艺技术解决方案。中微公司开发的等离子体刻蚀设备和化学薄膜设备是制造各种微观器件的关键设备，可加工微米级和纳米级的各种器件。这些微观器件是现代数码产业的基础，它们正在改变人类的生产方式和生活方式。中微公司的等离子体刻蚀设备已被广泛应用于国际一线客户先进工艺的众多刻蚀应用，中微公司开发的用于LED和功率器件外延片生产的MOCVD设备已在客户生产线上投入量产，目前已在全球氮化镓基LED MOCVD设备市场占据优势地位。

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