【核心工艺进展：18A进展顺利 14A风雨欲来】
Intel执行副总裁、首席技术官兼代工技术与制造总经理Naga Chandrasekaran加入Intel刚刚8个月，负责领导Intel技术与制造业务更是只有短短1个多月，身上的重任可想而知。
在演讲中，他详细披露了Intel多个核心制造工艺的最新进展以及未来规划，同样开场就特别强调了客户为主、重赢信任。
2021-2024年短短的四年间，Intel代工业务投入了多达900亿美元。
其中，370亿美元用于购入升级新的制造设备，350亿美元用于建设新的晶圆厂生产基地，180亿美元用于新技术的研发等等。
坚持顶住自身财务与行业环境压力，持续大手笔投入，对于Intel代工来说是相当不容易的，也正因如此，Intel代工只能成功，不能失败。
回顾过往四年，Intel曾经提出的“四年五个工艺节点”计划整体上是成功的。
Intel 7/4/3都顺利交付量产(后者还衍生出了3-T/3-E两个版本)，Intel 18A已经开始试产量产，只有Intel 20A被取消，还是因为后续的Intel 18A进展超出预期、避免重复投资。
另外，Intel还在持续推进成熟工艺的进一步发展，既有自家的Intel 16/16-E，也有与联电合作的Intel 12。
前瞻路线图，这次没有公布新的节点，都是去年已公布的，因为当下的重点是尽快推进如此多的节点落地，而不是一味“画饼”。
很显然，陈立武上任之后，Intel确实变得更加务实了。
Intel 10、Intel 7就不用多说了，都早已量产商用，而且良品率还在持续提升。
以色列工厂正全力生产Intel 10/7工艺产品，而美国亚利桑那州的工厂也支持部分产能需求。
注意图中有一句话：“以色列(工厂)从未错过每一个里程碑。”
从这里足以看出以色列在Intel制造业务中的核心地位。
Intel 4是第一个量产的EUV极紫外工艺节点，Intel 3则是它的升级版，目前主要用于代号Sierra Forest、Granite Rapids的至强6系列，而原本也计划用它的消费级Arrow Lake酷睿Ultra 200系列临时改成了台积电N3B。
Intel 4/3的主要生产基地也是以色列工厂，未来数年还会持续提升产能。
Intel 16是去年提出的一个新的成熟工艺，充分利用现有设备与技术，为不需要尖端工艺的客户提供代工服务。
Intel 16的首个客户是联发科，首款芯片已经流片成功，处于A0阶段，而且后续还有更多代工产品。
接下来是重头戏Intel 18A，在位于亚利桑那州、俄勒冈州的Intel美国工厂生产，目前已经正在风险性试生产阶段。
Intel 12也是个相对成熟的代工工艺，Intel与联电合作打造，满足供应链的多样化需求，在Intel亚利桑那州工厂生产。
Intel代工也正在与主要客户洽谈12nm节点及其演进版本。
这里要注意命名了：16、12都是成熟代工工艺，18A、14A都是先进代工工艺，不能只看数字大小，还要注意后缀。
Intel 18A一共有三个版本，首发的标准版已进入风险性试产阶段，将在今年下半年如期投入大规模量产，并积极产能爬坡。
首款产品是Intel自家的下代移动处理器Panther Lake，预计命名为酷睿Ultra 300系列，不过报道称今年内只会有一款产品，更多型号在明年上半年全面推出。
Intel 18A将率先在俄勒冈州工厂大规模量产，亚利桑那州工厂预计今年晚些时候进入量产爬坡阶段。
代工方面，Intel 18A的IP知识产权、EDA工具、参考流程都已经做好了产品设计准备，随时可已经迎接客户，首个外部客户的流片工作将于2025年上半年完成。
报道称，在外部客户拓展中，Intel 18A芯片样品已经进入合作伙伴验证阶段，并且收到了非常积极的反馈。
NVIDIA、博通、智源科技、IBM等龙头企业，都已经相继开始采用Intel 18A制程进行流片测试。
试产阶段的Intel 18A，在性能表现方面已经非常接近量产目标，尤其是漏电率/电压曲线，已经相当理想。
当然，仍有一定的提升空间，尤其是在高频率下的表现。
同时，使用Intel 18A制造的SRAM静态内存芯片，其最低电压值也完全满足业界标准规范，为量产铺平了道路。
Intel 18A-P是一个性能增强版本，设计规则与18A完全兼容，方便无缝升级。
相关产品已经在工厂内运行起来，早期试验晶圆已开始生产，IP、EDA优化正在进行中，预计2026年即可投产。
根据官方公布的数据，Intel 18A工艺相比Intel 3能效比提升超过15％，芯片密度提升30％左右。
Intel 18A-P则可以在密度不变的情况下，将能效比再提升大约8％。
但是，Intel没有像台积电那样，公布同等功耗下的性能提升、同等性能下的功耗降低，因此不方便直接对比。
从时间轴上看来，Intel 18A早在去年第三季度就开始了试产，如今的缺陷密度已经行当低——去年9月给出的缺陷密度是0.4，之后未再公布。
预计到今年第四季度，Intel 18A即可达成大规模量产所需的缺陷密度指标。
Intel 18A-PT则是进一步加入TSV硅通孔技术的3D堆叠封装升级版，主要面向AI、HPC领域的下一代高性能芯片。
它可以通过Foveros Direct 3D先进封装技术与顶层芯片连接，混合键合互连间距小于5微米。
目前，18A-PT工艺的EDA设计工具还在规划准备阶段，预计要到2028年才会投产。
它的具体指标没有公布，毕竟还早呢。
下一个重磅节点Intel 14A，将会升级第二代RibbonFET环绕式晶体管技术，支持三种库(18A只有高性能库、高密度库两种)，PowerVia背部供电改为PowerDirect直接触点供电技术，并首次使用High NA EUV光刻工艺。
不过，更具体的技术细节，暂时没有公布。
官方数据显示，Intel 14A对比Intel 18A，能效比提升15-20％，芯片密度提升30％，功耗大幅降低25-35％(应该是同等性能下)，提升极为显著。
Intel 14A和它的拓展版本Intel 14A-E，预计都将在2027年投入风险性试产，顺利的话2028年就能量产——台积电也有14A，也是2028年量产，但缺乏背部供电，升级版要到2029年。
从路线图上看，Intel 14A后续应该还会有更多版本，比如P、T、PT。
目前，Intel代工已与主要客户就Intel 14A制程工艺展开合作，发放了相应PDK的早期版本，而这些客户已经表示有意基于Intel 14A制造测试芯片。
首次公开展示的Intel 14A晶圆。
其实现场也有摆放，但是只能目视，不允许拍照。
Intel 18A、18A-P的PDK工艺设计套件早在2024年初就已提供，现已通过5五大EDA芯片设计厂商的29种不同工具的验证。
Intel 14A、4A-E PDK的所有必要元素都已完成，只有Cadence的一个模块进度略慢，但也会在今年二季度内完成。
IP方面，18A只差一个HBM4，要等到今年第三季度至明年第一季度，因为这一技术标准才刚刚公布，预计容量48GB，IO速度8Gbps，带宽2TB/s，今年下半年开始量产。
18A-P的全套IP最迟明年第一季度全部就绪，14A的则还在规划准备中。
Intel还公布了High NA EUV光刻机的部署情况，第一台已经运转起来，Intel 14A工艺的开发正是它提供支持的。
第二代正在安装调试中，进度符合预期。
后续，Intel肯定还会继续引进。
陈立武还在演讲中提到了Intel代工的全球布局，制造方面以美国亚利桑那州/俄勒冈州、欧洲爱尔兰、中东以色列为三大核心基地。
值得一提的是，Intel规划在德国、波兰的两大欧洲制造基地已经暂停，欧洲的资源主要倾斜给爱尔兰。
这无疑是个英明的决策，毕竟半导体制造是个重资产、重投入、回报周期很长的行业，而眼下无论是Intel自身的形势，还是整个行业的形势，都不太适合过度扩张，更需要Intel更加专注。
