上周末，美光公司在一场投资者会议上宣布了自己在内存技术领域的新突破。这项创新技术名为“混合存储立方体”（Hybrid Memory Cube，HMC），号称单颗HMC芯片的性能是DDR3内存条的20倍。
美光DRAM内存业务副总裁Brian M.Shirley表示，内存带宽问题如今往往会成为计算机系统的瓶颈。而其症结往往在于总线，即从DRAM内存芯片读写的数据无法马上达到处理器。他举例称，DDR2到DDR3的升级被屡屡推迟就是如此，因为人们无法从升级DDR3看到内存性能的提升。
为解决这一问题，HMC采用了堆叠封装技术，将多层DRAM和一个逻辑电路层封装在一起，并通过TSV硅穿孔技术进行互联。这种立体的结构因此才被称为“立方体”。
美光表示，HMC技术的关键就在于底层的这一层逻辑层，它实际上扮演了内存控制器的角色，可以使用超高带宽总线和CPU连接，消除内存与CPU之间的带宽/性能瓶颈。
据称，单颗HMC芯片的性能超过DDR3内存条20倍以上，同时单位bit存储空间的功耗仅仅是现有内存技术的十分之一，同等容量HMC的体积也仅仅是目前使用RDIMM内存条的十分之一。
HMC技术将首先应用于高性能领域，比如100Gbps高速网络设备或超级计算机等。预计首批HMC企业级产品将在2012年亮相，2013年大批量推出，2015、2016年左右进入消费领域。
