相信不少玩家也都记得，Intel在去年9月于旧金山举行的IDF上展示了一颗能用太阳能电池驱动的超低功耗处理器。本周IEEE召开的半导体技术会议ISSCC 2012上Intel正式公布了这一CPU的技术细节。
除3D Tri-Gate晶体管外，ISSCC上Intel着重推介的是近阈值电压（Near-Threshold Voltage）技术。目前的CPU在核心电压降至一定水准以后根本无法启动，给低电压低功耗处理器的研发带来了一定困难，而Intel的近阈值电压技术使得逻辑电路中的器件在超低电压下仍能正常运转。
IDF上Intel展示的处理器是采用32纳米工艺制程打造的——Pentium（没错，不过不知道是P54C还是P55C），代号为Claremont，比起当年所使用的0.35微米工艺先进了N倍。近阈值电压技术使得Claremont的核心电压最低可降至280mV，此时核心频率为3MHz和8086/8088时代有一拼，功耗也低至只有2mW；而核心电压/核心频率最高为1.2V/915MHz。
此外，Intel还分享了利用NTV技术的可变精度浮点计算模块，以及22nm 3D Tri-Gate晶体管图形引擎，均能使能耗比提高7-9倍。
近阈值电压技术细节
去年Intel展示的用太阳能电池驱动的系统
