多重目的寄存器:四个页面(Pages),每页有四个8-bit寄存器,总共16个。
循环冗余校验(CRC):写入CRC可以在DDR4数据总线上提供实时的错误检测,对于四种随机错误的检测率可达100%。
C/A对等功能可以检查命令与地址总线。
Die堆叠是实现DDR4更高存储密度的关键,当然这样对制造工艺、电路布局、信号传输、指令控制等都提出了更苛刻的要求,当然成本也会高不少。这种新的内存封装方式被称为“3DS”(不是任天堂掌机)。
制造技术上主要是流行的硅穿孔(TSV),其它垂直电气连接技术也可以。每个Ball都与所有的Die相连。
内部Die配置上采用了主从区分的方式,其中主Die一个、从Die一至八个。只有主Die可以对外联系,其它Die都隐藏在幕后。
这种设计带来了更高的存储密度和带宽利用率,同时又保持了信号传输等方面的一致性和兼容性。如果使用4Gb(512MB)的Die,单条内存最大容量可达64GB,8Gb Die就可以实现128GB。