DDR4内存还没有正式商用，移动设备里也只有一部分才开始上马LPDDR3，但是产业的脚步永远不会停歇，LPDDR4标准都已经在紧张地制定中了。
JEDEC组织将于5月1-2日在加州圣克拉拉举办研讨会“Mobile Forum”，邀请业内众多厂商共同商讨下一代智能手机和平板机移动内存标准，包括LPDDR4、Wide I/O 2。
届时，两种新技术的最终版技术标准都有望确定下来，不过想看到实际产品还得耐心等待，至少也得2014年下半年。事实上，LPDDR3去年才开始浮现，Wide I/O则基本还停留在纸面上。
高通、三星、通用闪存组织(UFSA)都将在此次会议上发言，探讨蓬勃发展的移动设备对高性能内存、闪存存储的渴求。其它与会的厂商还有：安捷伦、Arasan Chip Systems、ARM、CST、美光、NVIDIA、海力士、新思科技(Synopsys)、美国泰克(Tekronix)、东芝。
LPDDR3为了赶进度而做了很大牺牲，尤其是电压还和LPDDR2一样停留在1.2V上，不利于降低功耗、提升能效，LPDDR4则会弥补这一缺陷，在继续提高频率的同时降低电压，不过具体会降到多少还有待研究决定。频率上，JEDEC预计2014年下半年可以看到LPDDR4-3200。
此外，LPDDR4还预计实现根据负载切换并行、串行模式，从而兼顾高性能和低功耗。
Wide I/O则是三星、海力士等为首提出的移动内存技术，通过TSV等方式进行堆叠封装，实现四通道512-bit的超高内存位宽，不过第一代仅支持传统的SDR内存，并未真正投入实用，预计第二代将会支持LPDDR，甚至支持桌面的DDR3-2133、DDR4-3200。
