改进的DuraWrite
这是上代主控的独特技术，通过实时压缩和/或数据复用来减少对NAND的写入，既能提高性能，也能延长闪存寿命。
SF3700对此做了改进，号称拥有好得多的数据压缩技术。换言之，SF3700能够更大限度地压缩低熵数据，写入放大也会因此更低，结果自然就是在小容量下的更好性能、更久耐用性。
但是仅仅依靠算法，高熵数据的性能不会有明显进步。
双级RAISE
这一冗余恢复技术也增强了。此前它只能保护单个页面或区块，现在则增加了第二级保护，可以让固态硬盘承受多个页面、区块甚至是整个闪存Die的失效，可靠性好得多。
坏消息就是这需要更多的冗余容量，也就是两个Die。如果其中一个Die坏掉了，硬盘要么使用另外一个Die同时减少冗余容量，要么恢复到传统的一级保护。
前文我们提到过，SF3700支持九个闪存通道，那为什么是奇数呢？其实正与RAISE有关，这第九个通道就是用来专门弥补双级RAISE更多冗余容量的，剩下八个通道则面向实际用户数据，而不必在容量和冗余之间妥协。
举例来说，你可以造一块实际闪存容量288GB的固态硬盘，其中256GB留给用户，32GB留给双级RAISE，冗余比例7％。
当然了，RAISE的负载在九个通道之间是平均分布的，冗余数据也不是划分出单独的一块区域保存，而是均匀分布在整个闪存空间内。
还有一个新技术是“Fractional RAISE”(碎片化RAISE)。原来使用一整个Die做冗余是很浪费的，特别是在小容量的低端型号熵，比如在一个64GB的固态硬盘里，实际留给用户的久只有56GB。
这种新技术就是为此设计的，不会占满整个Die，能节省更多空间。当然了，它就无法保护整个Die的失效了，算是一种妥协。
SHIELD
这个不是NVIDIA的安卓掌机，而是LSI的升级版纠错引擎。
我们知道，随着NAND闪存工艺的进步，读取或编程时所遇到的错误也会随之增加，而在NAND的寿命周期中错误率同样会增加，导致初期和末期需要的ECC算法也不完全一样。
SHIELD的原理是汇集多种ECC算法，最终找出性能、可靠性之间的最佳平衡。早期错误率低，默认就是非常低延迟的ECC，而随着错误率攀升，就切换到更高级的ECC，牺牲部分延迟来换取可靠性。
它还可以让你选择保存ECC数据的面积，每个NAND页面用于ECC数据的比例都可以实时更改，理论上可以让你前期拥有更大容量，后期拥有更高可靠性。
当然这也需要操作系统的配合支持。
SandForce预计，SHIELD加适应性码率相结合，10nm级别闪存的编程/擦写循环能从大约3000次大幅提升到18000次，足足五倍的增加。
结语
SandForce对固态硬盘的发展做出了不可磨灭的贡献，SF3700也看上去潜力无穷。SATA、PCI-E的结合使得固态硬盘产品有了更灵活的选择空间，可以继续大幅度提升性能，有望成为最快的消费级固态硬盘主控方案。
SF3700的另一个目标是接受当前和未来NAND闪存技术的挑战，因此特别增强了DuraWrite、RAISE可靠性技术并引入了SHIELD，而随着NAND闪存的可靠性、持久性问题日益明显，这方面将会越来越重要。
SandForce也犯过很严重的错误，前代产品不仅仅技术上有缺陷，在问题处理上也过于缓慢，给人很不负责任的印像，SF3700绝对不允许再重复。
基于SF3700主控的固态硬盘将在2014年上半年陆续面世，届时距离SF-2000的诞生就三年半了。
