技术控别错过!Haswell底层海量细节公布
  • 上方文Q
  • 2014年02月10日 09:55
  • 0

技术控别错过!Haswell底层海量细节公布 OPIO接口

技术控别错过!Haswell底层海量细节公布 处理器与缓存之间的OPIO

技术控别错过!Haswell底层海量细节公布 OPIO走线布局

技术控别错过!Haswell底层海量细节公布 OPIO PHY物理层

第三个方面是关于功耗优化的。

技术控别错过!Haswell底层海量细节公布

内存界面使用了新的堆栈式电源栅极,漏电率只有上一代的百分之一。 

技术控别错过!Haswell底层海量细节公布

Haswell首次做到的FIVR(完全整合电压控制器)效率相当高,负载时可达90%,而且非常稳定。

技术控别错过!Haswell底层海量细节公布

切换速度也是极快,进入/恢复睡眠只需0.32微秒,进入睿频加速更是不过0.1微秒。

技术控别错过!Haswell底层海量细节公布

Haswell支持多种电源状态。这里以TDP 15W的超低功耗版为例,除了传统的C0、C6、C7之外,还支持三种更深度的状态:C8,关闭显示、IO部分,Vin输入电压1.2V,功耗77毫瓦;C9,Vin电压降为零,功耗18毫瓦;C10,电压控制器优化,功耗18毫瓦。


文章纠错

  • 好文点赞
  • 水文反对

此文章为快科技原创文章,快科技网站保留文章图片及文字内容版权,如需转载此文章请注明出处:快科技

观点发布 网站评论、账号管理说明
热门评论
查看全部评论
相关报道

最热文章排行查看排行详情

邮件订阅

评论0 | 点赞0| 分享0 | 收藏0